• Kazushi Yoshida,Ken Nitta,Hiromasa Ohmi,Kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi
  Plasma parameters in very high frequency helium and argon plasmas at atmospheric pressure
  Journal of Applied Physics 128, 133303 (2020)
  
  
• Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi and Kiyoshi Yasutake
  Pulsed very high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon films for low-temperature (120°C) thin film transistors
  J.Phys.D:Appl.Phys.53,415201(2020)
  
  
• Keiichi Hamanaka, Norihisa Takei, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake and Hiromasa Ohmi
  The effect of pretreatment for SiH4 gas by microwave plasma on Si film formation behavior by thermal CVD
  Plasma Process Polym. 2020; el1900198 (11pp).
  
  

ICPE2020　（Nov.23-27 , 2020 Kobe , Japan ,virtual conference）

• 1. Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi
  Surface nanostructuring of silicon by intermediate-pressure hydrogen plasma treatment
• 2. Shigeto Nawata, Masaya Maegawa, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
  Study on the growth of silicon films at low temperatures in atmospheric-pressure plasmaexcited by very high-frequency power
• 3. Masaya Maegawa, Sigeto Nawata, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
  Characterization of silicon oxide thin films deposited at low temperatures using anatmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition technology
• 4. Naoto Komatsu, Atsuhisa Togo, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi
  Diamond synthesis from graphite by hydrogen plasma induced chemical transport
• 5. Hiromichi Nakatsuka, Rei Tanaka, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi
  High-rate Preparation of Hydrophobic Fluorocarbon Film from CF4 Feedstock Gas by SolidSource Aided Plasma Chemical Vapor Deposition Technique
  
  

2020年　第81回 応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月8日-12日，オンライン開催）

• 1. 野村俊光，木元健太，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  高圧水素プラズマによる極薄ゲッタリング層の形成
  
  

2020年度 精密工学会春季大会学術講演会（2020年3月17日-19日，東京農工大学）

• 1. 中塚宏学，田中領，垣内弘章，安武潔，大参宏昌，飯野大輝，栗原一彰，福水裕之，福原成太，林久貴
  (E03)CF4プラズマによりオンサイト生成されるC2F4ガスの濃縮・高純度化
  
• 2. 関戸拓郎，安東卓洋，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (E04)ユビキタスガス添加水素プラズマ化学輸送法による銅薄膜の形成
  
• 3. 新田健，吉田和史，首藤光利，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (E05)電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析―不均一密度モデルによる解析―
  
• 4. 前川将哉，山崎啓史，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (E19)Arベース大気圧VHFプラズマによるSiOX 成膜特性
  
  

2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月12日-15日，上智大学）

• 1. 大参宏昌，田中領，中塚宏学，飯野大輝，栗原一彰，福水裕之，福原成太，林久貴，垣内弘章，安武潔
  (13a-PA1-13) CF4ガスからプラズマ合成されたC2F4ガスの分離濃縮技術の検討
  
• 2. 田中領，田中智之，飯野大輝，栗原一彰，福水裕之，福原成太，林久貴，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (13a-A205-3) 中圧域のプラズマを用いたCF4ガス原料からのC2F4のオンサイト生成
  
• 3. 浜中恵一，谷口大介，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (14p-A305-4) 水素プラズマによる固体SiからのオンサイトSi2H6生成
  
  

• Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi and Kiyoshi Yasutake
  Highly efficient formation process for functional silicon oxide layers at low temperatures (≤ 120 °C) using very high-frequency plasma under atmospheric pressure
  Precision Engineering, 60 (2019) 265-273.
  
  
• Hiromasa Ohmi, Jumpei Sato, Yoshiki Shirasu, Tatsuya Hirano, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
  Significant Improvement of Copper Dry Etching Property of a High-Pressure Hydrogen-Based Plasma by Nitrogen Gas Addition
  ACS Omega 2019, 4, 4360−4366
  
  

SSDM2019 (September 2-5, 2019 Nagoya, Japan)

• 1. H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake
  Atmospheric-Pressure Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Silicon and Silicon Oxide Layers for Low-Temperature Thin Film Transistors
  
  

2019年度 精密工学会秋季大会学術講演会（2019年9月4日-6日，静岡大学）

• 1. 大参宏昌
  (O01)＜キーノートスピーチ＞ 高圧水素プラズマを用いた機能材料の成膜・加工プロセス
  
• 2. 吉田和史，新田健，首藤光利，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (O03)電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析－シース厚さを含めた高精度解析－
• 3. 浜中恵一，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (O04)マイクロ波水素プラズマと固体シリコンを用いたオンサイトSi2H6生成プロセスの開発
• 4. 田中領，田中智之，木倉丈，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (O07)C2F4のオンサイト生成に向けた準大気圧プラズマによるCF4ガス改質特性の評価
• 5. 野村俊光，木元健太，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (O09)極薄シリコンウエハに向けた高圧水素プラズマによる高密度極薄欠陥層の形成
  
  

精密工学会2019年度関西地方定期学術講演会（2019年6月28日，大阪大学）

• 1. 前川将哉，山崎啓史，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  11-C(P-24)大気圧プラズマCVDを用いたSiOx機能性コーティングプロセスの研究
• 2. 小松直人，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  12-C(P-20)マイクロ波水素プラズマ化学輸送法によるダイヤモンド合成における成膜雰囲気中不純物の影響
  
• 3. 縄田慈人，前川健史，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  13-C(P-30)大気圧プラズマCVDによるプラスチックフィルム上へのSi成膜と膜構造評価
• 4. 吉田和史，新田健，首藤光利，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  14-C(P-9)電磁場シミュレーションによるシースを考慮したプラズマパラメータ解析
  
  

2019年度 精密工学会春季大会学術講演会（2019年3月13日-15日，東京電気大学）

• 1.前川将哉，山崎啓史，大参宏昌，安武潔，垣内弘章
  (B24)大気圧プラズマCVDを用いたSiOx機能性コーティング技術の開発
  
• 2.縄田慈人，前川健史，大参宏昌，安武潔，垣内弘章
  (B25) 大気圧プラズマCVDによるプラスチックフィルム上へのSi成膜とその特性評価
  
• 3.大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (K43) 高圧プラズマと液体インジウムの反応を利用した多孔質金属膜の形成
• 4.安東卓洋，白數佳紀，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (K44) 水素ベース高圧プラズマを用いた金属の化学加工法の開発
• 5.浜中恵一，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (K45) マイクロ波プラズマを用いたSiH4ガスの改質特性
• 6.田中領，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (K46) 液中成長GeO2 ナノ結晶を用いた水素プラズマ還元法によるGeナノ結晶の形成
• 7.東後篤尚，親川達郎，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (K47) マイクロ波水素プラズマ化学輸送法によるダイヤモンド合成
  ―成膜雰囲気中の不純物が膜成長・特性に及ぼす影響―
  
  

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月9日-12日，東京工業大学）

• 1.浜中恵一，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (11a-W934-4) 結晶Si膜の低温形成に向けたSiH4ガスのプラズマ改質
  
• 2.白數佳紀，安東卓洋，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (11p-W641-10)水蒸気添加水素プラズマによる金属銅のドライエッチング
  
  

• Kakiuchi Hiroaki,Ohmi Hiromasa,Yasutake Kiyoshi
  Controllability of structural and electrical properties of silicon films grown in atmospheric-pressure very high-frequency plasma
  JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS，Vol. 51，No. 35（2018）
  
  
• N. Takei, F. Shinoda, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
  On-site SiH4 generator using hydrogen plasma generated in slit-type narrow gap
  J. Phys D: Appl. Phys. 51 (2018) 245203 (10pp).
  
  

2018年度 精密工学会秋季大会学術講演会（2018年9月5日-7日，函館アリーナ）

• 1.垣内弘章，大参宏昌，安武潔
  1A（KS）1-6＜キーノートスピーチ＞ 大気圧下におけるプラズマ生成と薄膜作製プロセスへの応用
  
• 2.前川健史，縄田慈人，垣内弘章，大参宏昌
  1P（B）12 大気圧プラズマCVDにより形成した微結晶Siの高品質化の検討
  
• 3.吉田和史，田中恭輔，首藤光利，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  1P（B）13 電磁場シミュレーションを用いた大気圧プラズマパラメータの解析
• 4.田中智之，田中領，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  1P（B）14 高濃度CF4ガスを用いた高圧プラズマCVDによるフルオロカーボン膜の形成
  ―成膜基板が成膜特性に与える影響―
• 5.木元健太，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  1P（T）12 高圧水素プラズマによるSi表面の欠陥制御法の検討
• 6.白數佳紀，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  1P（T）14 水蒸気添加水素プラズマによる金属銅の高速ドライエッチング
  7.山崎啓史，前川将哉，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  1P（T）41 SiOX薄膜のTFTゲート絶縁膜への応用と機能性コーティングプロセスの研究
  
  

精密工学会2018年度関西地方定期学術講演会（2018年6月29日，大阪電気通信大学）

• 1.前川将哉，山崎啓史，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  4-C(P-5)大気圧プラズマCVDによるPENフィルム上へのSiOx薄膜形成とその評価
  
• 2.縄田慈人，前川健史，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  11-C(P-23)大気圧プラズマCVDにより形成したSi薄膜の構造・電気的特性と成膜パラメータの相関
  
• 3.田中恭輔，吉田和史，首藤光利，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  13-C(P-15)大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析
  ―ヘリウム及びヘリウム酸素混合プラズマの内部パラメータ比較―
• 4.東後篤尚，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  14-C(P-29)木炭からの機能性炭素膜の形成を目指したマイクロ波水素プラズマ化学輸送技術の開発
  　　

2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月17日-20日，早稲田大学）

• 1.武居則久，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (17a-C101-1)[講演奨励賞受賞記念講演]マイクロ波水素プラズマを用いたオンサイトシラン生成器の開発とその応用
  
• 2.田中智之，木倉丈，竹本啓輝，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (20a-C204-6)準大気圧プラズマによる高濃度CF4ガスを用いたフルオロカーボン膜の高速合成と特性評価
  
• 3.木元 雄一朗，寺脇功司，山﨑啓史，前川健史，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (20a-C204-10)大気圧プラズマCVDによるSiOxゲート絶縁膜の低温・高能率形成プロセスの研究
  
  

2018年度 精密工学会春季大会学術講演会（2018年3月15日-17日，中央大学）

• 1.大参宏昌，佐藤純平，白数佳紀，垣内弘章，安武潔
  (J32)添加ガスによる高圧水素プラズマを用いた銅ドライエッチングの特性改善
  
• 2.白数佳紀，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (J33)水素プラズマ援用輸送法による銅薄膜の形成と評価
  
• 3.田中恭輔，吉田和史，首藤光利，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (J34)大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析―酸化プラズマパラメータと酸化膜特性の関係―
  
• 4.田中智之，木倉丈，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (J36)高圧プラズマCVDによるフルオロカーボン膜の形成―原料ガス種の影響―
  
• 5.木元健太，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (J38)高圧水素プラズマを用いたケミカルフリーなSiウエハ薄化プロセスの開発―プロセス雰囲気中不純物の影響―
  
• 6.山崎啓史，木元雄一朗，寺脇功士，前川健史，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (J44)フレキシブルデバイスへの応用を目指した大気圧プラズマCVDによるSiOxゲート絶縁膜形成プロセスの研究
  
  

2018年電気学会全国大会（2018年3月14日-16日，九州大学）

• 1.木倉丈，田中智之，竹本啓輝，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (2214-A1)準大気圧プラズマCVDによる高濃度CF4原料ガスからのフルオロカーボン膜の成膜特性
  
  

• M. Shuto, H. Ohmi, H. Kakiuchi, T. Yamada and K. Yasutake
  Determination of plasma impedance of microwave plasma system by electric field simulation
  J. Appl. Phys. 122 (2017) 043303-1-8.
  
  
• H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Study of the interaction between molten indium and sub-atmospheric pressure hydrogen glow discharge for low-temperature nanostructured metallic particle film deposition
  J. Alloys Compounds, 728 (2017) 1217-1225.
  
  

CIP MIATEC 2017 （June 26-30, 2017 Nice, France）

• 1. H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake
  Structural and electrical characterization of silicon and silicon oxide films prepared in atmospheric-pressure very high-frequency plasma at low temperatures.
• 2. H. Ohmi, N. Takei, K. Kimoto, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  Toxic chemical-free Si etching by narrow gap hydrogen plasma toward Si wafer thinning process.
  
  

231st ECS Meeting （May 28-June 1, 2017 New Orieans, LA, USA)

• 1.H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake, and Y. Kubota
  High-Rate Etching of Copper By High-Pressure Hydrogen-Based Plasma
  
  

2017年度 精密工学会秋季大会学術講演会（2017年9月20日-22日，大阪大学）

• 1.木元雄一朗，寺脇功士，鎌田航平，山崎啓史，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (G08)低温薄膜トランジスタに向けた大気圧プラズマCVDによるSi0Xゲート絶縁膜形成プロセスの研究
  
• 2.田中恭輔，吉田和史，首藤光利，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (G09)大気圧プラズマ装置の電磁場シミュレーションとプラズマパラメータ解析
• 3.寺脇功士，前川健史，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (G20)Siの大気圧プラズマCVDプロセスにおける投入電力のパルス変調の効果
• 4.吉田和史，田中恭輔，首藤光利，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (G21) 電磁場シミュレーションを用いたマイクロ波水素プラズマの電子密度解析
  
• 5.田中智之，木倉丈，竹本啓輝，垣内弘章，安武潔，大参宏昌，阿部淳子，酒井伊都子，林久貴，福原成太
  (G24) 高濃度CF4ガスを用いた高圧プラズマCVDによるフルオロカーボン膜の形成
  
• 6.木倉丈，田中智之，竹本啓輝，垣内弘章，安武潔，大参宏昌，阿部淳子，酒井伊都子，林久貴，福原成太
  (G25) 準大気圧プラズマを用いた高濃度パーフルオロカーボンガスの分解特性
  
• 7.東後篤尚，山崎聡士，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (G26) マイクロ波水素プラズマを用いた炭素同素体変態プロセスの開発―木炭原料からのダイヤモンド合成―
  
• 8.木元健太，武居則久，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (G27)Siウエハ薄化プロセスに向けた高密度水素プラズマエッチング技術の開発
  9.武居則久，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  ・(G28) 狭ギャップ水素プラズマを用いたオンサイト生成SiH4によるシリコンエピ成長
  
  

2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会（2017年9月5日-8日，福岡国際会議場）

• 1.大参宏昌，平野達也，久保田雄介，白数佳紀，垣内弘章，安武潔
  (6a-C21-7) 高圧水素プラズマ援用輸送による銅薄膜の形成
  
• 2.大参宏昌，佐藤純平，久保田雄介，平野達也，垣内弘章，安武潔
  (7a-A402-1) 水素プラズマを用いた銅ドライエッチングにおける添加ガス効果
• 3.武居則久，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (6p-C21-3) 高密度水素プラズマによるオンサイト生成シランを用いたシリコンエピ成長とドーピング
  
• 4.木元雄一朗，寺脇功士，山崎啓史，前川健史，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (7p-A402-14) 大気圧プラズマCVDによるSiOxゲート絶縁膜の形成プロセスの開発
• 5.東後篤尚，山崎聡士，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (7p-A402-21)マイクロ波水素プラズマ化学輸送法によるダイヤモンド合成プロセスの開発
  
• 6.木元健太，武居則久，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (8a-C21-7) 高圧水素プラズマによるSi薄化プロセスの開発(I)
  
  

精密工学会2017年度関西地方定期学術講演会（2017年6月29日，摂南大学）

• 1.前川健史，寺脇功士，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-15)大気圧プラズマCVDによるSi低温成膜プロセスにおける投入電力のパルス変調の効果
  
• 2.吉田和史，田中恭輔，首藤光利，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-20)電磁場解析によるマイクロ波プラズマの電子密度算出手法の開発
  
• 3.山崎啓史，木元雄一朗，寺脇功士，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-29)大気圧プラズマCVDにより形成したSiOx薄膜の構造・電気特性に対するプラズマ中O2濃度の効果
  
  

• H. Ohmi, J. Sato, T. Hirano, Y. Kubota, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Copper dry etching by sub-atmospheric-pressure pure hydrogen glow plasma
  Appl. Phys. Lett. 109 (2016) 211603-1-5.
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake
  Atmospheric-Pressure Low-Temperature Plasma Processes
  Encyclopedia of Plasma Technology November 16, 2016
  
  
• Hiromasa Ohmi, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
  Selective Boron Elimination from B2H6–SiH4 Gas Mixtures for Purifying Si
  ECS J. Solid State Sci. Technol. 5，9, P471-P477 (2016)
  
  
• Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
  Magnesium hydride film formation using subatmospheric pressure H2 plasma at low temperature
  Journal of Vacuum Science & Technology B 34, 04J103 (2016)
  
  
• Takahiro Yamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
  Hydrogen atom density in narrow-gap microwave hydrogen plasma determined by calorimetry
  Journal of Applied Physics 119, 063301 (2016)
  
  

16th Joint Vacuum Conference (JVC-16) and 14th European Vacuum Conference (EVC-14),Bernardin Congress Centre in the Grand Hotel Bernardin, Portorož, Slovenia (June 6-10, 2016)

• 1. Hiromasa Ohmi, F. Shinoda, N. Takei, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  On-site SiH4 generation using high-density microwave H2 plasma generated in narrow slit-type discharge gap
  
  

The 43rd Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-43),Omni Rancho Las Palmas Resort, Rancho Mirage, Palm Springs, CA, USA (Jan. 17-21, 2016)

• 1. Hiromasa Ohmi, N. Masuya, T. Hori, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Magnesium hydride film formation using a sub-atmospheric pressure H2 plasma at low temperature
  
  

2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年9月13日-16日，朱鷺メッセ）

• 1. 大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (16a-A24-6)高圧水素プラズマ化学輸送を用いたSi精製プロセスにおけるP不純物除去手法の開発
• 2. 武居則久，篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (16p-B7-7)狭ギャップ高密度水素プラズマによるオンサイトSiH4生成装置を用いたシリコンエピ成長
• 3. 木元雄一朗，田牧祥吾，寺脇功士，鎌田航平，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (16a-P4-2)大気圧プラズマCVDによるSiOXゲート絶縁膜の低温形成と構造・特性評価
• 4. 田牧祥吾，寺脇功士，木元雄一朗，鎌田航平，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (15a-B10-1)低温TFTに向けた大気圧プラズマCVDによるSi成膜プロセスの研究
  
  

2016年度 精密工学会秋季大会学術講演会（2016年9月6日-8日，茨城大学）

• 1. 平野達也，佐藤純平，垣内弘章，安武潔，久保田雄介，大参宏昌
  (D09)水素のみを用いた銅のプラズマエッチング技術の開発
  
• 2. 竹本啓輝，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (E38)高圧水素プラズマ化学輸送法によるSiナノワイヤの形成-原子状水素がNW-Si成長に及ぼす影響-
• 3. 山崎聡士，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (F31)高圧水素プラズマ化学輸送法を用いたダイヤモンド合成技術の開発
• 4. 寺脇功士，田牧祥吾，木元雄一朗，鎌田航平，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (F38)大気圧プラズマCVDによるSiおよびSiOxの高速成膜とTFTの作製・評価
  
  

第74回マテリアルズ・テーラリング研究会（2016年8月4日-6日，軽井沢研修所）

• 1. Jou Kikura, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi
  Development of PH3 elimination filter for purifying Si
  
  

精密工学会2016年度関西地方定期学術講演会（2016年7月12日，株式会社島津製作所）

• 1. 武居則久，篠田史也，垣内弘章，安武 潔，大参宏昌
  (P-6)スリット型狭ギャッププラズマ源を用いたオンサイトSiH4生成
  
• 2. 鎌田航平，木元雄一朗，田牧祥吾，寺脇功士，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (P-16)大気圧プラズマCVDにより形成したSiOx薄膜の構造・電気特性の基板温度依存性
  
• 3. 寺脇功士，田牧祥吾，木元雄一朗，鎌田航平，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (P-36)大気圧プラズマCVDによるSiの高速性膜とTFTの特性評価
• 4. 田中恭輔，鈴木貴之，首藤光利，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-41)電磁場解析による高圧力プラズマの電子密度算出手法の開発
  
  

• Hiromasa Ohmi, Takeshi Funaki, Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake
  Efficiency of silane gas generation in high-rate silicon etching by narrow-gap microwave hydrogen plasma
  J. Physics D: Appl. Phys. 49 (2016) 035202(10pp).
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, S. Tamaki, T. Sakaguchi, W. Lin, and K. Yasutake
  Characterization of Si and SiOx films deposited in very high-frequency excited atmospheric-pressure plasma and their application to bottom-gate thin film transistors
  Phys. Stat. Sol. A 212, pp. 1571–1577 (2015).
  
  
• Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
  Selective deposition of a crystalline Si film by a chemical sputtering process in a high pressure hydrogen plasma
  ournal of Applied Physics 118, 045301 (2015); (published online 22 July 2015)
  
  

EMN Hong Kong meeting 2015, Eaton Hotel, Kowloon, Hong Kong (Dec. 9-12, 2015)

• 1. Takahiro Yamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
  H Atom Density Diagnostics in High-Pressure Microwave Hydrogen Plasma by Power Balance Calorimetry and Actinometry
  
  

TACT 2015 International Thin Films Conference, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan (Nov. 15-18, 2015)

• 1. H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  High-rate metal evaporation induced by high-pressure hydrogen glow discharge plasma and its application to formation of metallic fine particle and porous film
• 2. H. Takemoto, Y. Ishikawa, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
  Impact of catalytic metal element on silicon nanowire growth by high-pressure hydrogen plasma chemical transport
  
  

EuroCVD 20 – 20th BIENNIAL European Conference on Chemical Vapor Deposition, Sempach, Switzerland (July 13–17, 2015)

• 1. H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, W. Lin, T. Sakaguchi, S. Tamaki, and K. Yasutake
  Investigation on the deposition characteristics of silicon and silicon oxide thin films in atmospheric-pressure very high-frequency plasma for their application to thin film transistors
  
• 2. T. Sakaguchi, S. Tamaki, W. Lin, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  Silicon oxide thin films prepared with high rates at room temperature using atmospheric-pressure very high-frequency plasma
  
• 3. S. Tamaki, T. Sakaguchi, W. Lin, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  Study on the growth of silicon films in very high-frequency plasma under atmospheric pressure
  
  

ISPC 2015 – 22nd International Symposium on Plasma Chemistry, University of Antwerp, Belgium (July 5–10, 2015).

• 1. H. Kakiuchi, H. Ohmi, S. Tamaki, T. Sakaguchi, W. Lin, and K. Yasutake
  Characterization of Si films deposited at 220 C in atmospheric-pressure very high-frequency plasma and their application to thin film transistors
  
  

2015年 第76回 応用物理学会秋季学術講演会（2015年9月13日-16日，名古屋国際会議場）

• 1.篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (14p-2S-5)狭ギャップ高密度水素プラズマを用いたオンサイトSiH4生成装置の開発
  
• 2.佐藤純平，平野達也，久保田雄介，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (15a-2Q-3)高圧水素プラズマを用いた銅の高速エッチング
  3.竹本啓輝，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (16a-2Q-10)高圧水素プラズマ化学輸送法によるシリコンナノワイヤ形成における金属触媒の影響
  
  

2015年度 精密工学会秋季大会学術講演会（2015年9月4日-6日，東北大学）

• 田牧祥吾，坂口尭之，木元雄一朗，寺脇功士，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (I20)低温薄膜トランジスタへの応用に向けた大気圧プラズマCVDによるSi 成膜プロセスの研究
  
  

第71回マテルアルズ・テーラリング研究会（2015年8月6日-8日，軽井沢研修所

• 1.平野達也，垣内弘章, 安武潔, 大参宏昌
  高圧水素プラズマによる液体金属の超高速蒸発と多孔質金属膜の形成
  
  

精密工学会 2015年度関西地方定期学術講演会（2015年6月23日，京都工芸繊維大学）

• 1.平野達也，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-17)高圧マイクロ波水素プラズマを用いたSi高速エッチングにおける高効率SiH4製造プロセスの開発
  -Siエッチング効率の決定と最適条件の検討-
• 2.寺脇功士，木元雄一朗，田牧祥吾，坂口尭之，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-19)大気圧超高周波プラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術の研究
  
• 3.山崎聡士，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (P-22)木質バイオマスからの機能性炭素膜形成に向けた水素プラズマによる木炭のエッチング特性
  4.木元雄一朗，坂口尭之，田牧祥吾，寺脇功士，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-29) HMDSOを原料とした大気圧プラズマCVDによるSiOx薄膜の常温・高速形成とその評価
  
• 5.鈴木貴之，足立昂拓，首藤光利，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (P-33) 高圧力水素プラズマ装置のシミュレーション解析と電子密度評価
  
• 6.竹本啓輝，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (P-46)準大気圧雰囲気での水素プラズマ化学輸送法を用いたシリコンナノワイヤの形成
  
  

• Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi and Kiyoshi Yasutake
  Atmospheric-pressure low-temperature plasma processes for thin film deposition
  J. Vac. Sci. Technol. A32 (2014) 030801-1-16.
  
  

2nd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Knowledge Capital Congres Convention Center, Osaka, Japan (December 10–11, 2014)

• 1.T. Sakaguchi, S. Tamaki, W. Lin, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Room Temperature Deposition of Silicon Oxide Films with High Rates Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma　　　
• 2.S. Tamaki, T. Sakaguchi, W. Lin, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Low Temperature Deposition of Silicon Films Using Very High-Frequency Plasma under Atmospheric Pressure
  
  

The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (Nov. 23-27, 2014, Kyoto, Japan)

• 1. T. Yamada, K. Yamada, T. Hirano, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Development of Low-Cost Production Process for High-Purity SiH4 Based on Hydrogen Plasma Etching of Metallurgical-Grade Si: Optimization of Surface Temperature and H2 Flow Rate on Si Etch Rate
  
  

29th European PV Solar Energy Conference (Sep. 22-26, 2014 Amsterdam, Netherlands) 3DV4.44

• 1. Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake
  High rate and chamber cleaning free deposition process for crystalline silicon film by high pressure hydrogen plasma induced chemical transport technique　
  　

13th European Vacuum Conference (Sep. 8-12, 2014 Aveiro, Portugal) 13th EVC Book of Abstracts, p13

• 1. Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
  SiH4 conversion rate in Si etching reaction induced by high-pressure hydrogen plasma
  
  

225th ECS Meeting (May 11-15, 2014 Orlando, FL, USA)

• 1. H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Boron Elimination Filter from SiH4 and B2H6 Gas Mixture for Purification of Metallurgical Si
  
  

International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology (Feb. 5-6, 2014 Osaka, Japan)

• 1.M. Shuto, T. Tsushima, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Simulation of capacitively coupled Ar plasma generated at atmospheric pressure (Oral)
• 2.W. Lin, K. Okamura, T. Sakaguchi, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Low temperature and High-Rate Deposition of Si Films Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma
  -Fabrication and Characterization of Bottom-Gate Thin Film Transistors-
• 3.Y. Fujiwara, Y. Kanetani, T. Yamada, H.　Ohmi, H.　Kakiuchi, K. Yasutake
  Development of Open Air Plasma Oxidation Process for Crystalline Si Solar Cells
  　　　　

Abst. 1st KANSAI Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, 110
(Feb. 3-4, 2014, Osaka, Japan)

• 1.K. Yamada, T. Adachi, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Calorimetry Study of Degree of Dissociation in Narrow-Gap Microwave Hydrogen Plasma for High-Rate Si Etching
  
  

2014年 第75回 応用物理学会秋季学術講演会（2014年9月17日-20日，北海道大学）

• 1.大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (19a-A25-1)低純度Si精製に向けたジボラン（B2H6）選択除去手法の開発とその特性評価
  
• 2.山田高寛，平野達也，山田浩輔，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (19a-S8-9)高圧マイクロ波水素プラズマ中の原子状水素密度 －アクチノメトリによる相対密度変化の検討
  
• 3.大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (19a-S9-6)水素プラズマによる金属の蒸発促進と高速成膜への応用
• 4.桑岡裕太，山田高寛，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (19p-S10-18)原料回転を利用した水素プラズマ誘起SiH4生成反応の高効率
  
  

2014年度 精密工学会秋季大会学術講演会（2014年9月16日-18日，鳥取大学）

• 1.林威成，田牧祥吾，坂口尭之，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (H34)大気圧VHFプラズマによるSi及びSiOx の低温・高速成膜と薄膜トランジスタ特性評価
  
  

第68回マテルアルズ・テーラリング研究会（2014年7月24日-26日，軽井沢研修所）

• 1.大参宏昌
  大気圧近傍の非平衡水素プラズマを用いた材料変換プロセスの開発
  
• 2.篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  水素プラズマによる固体炭素源からの炭化水素ガスの生成特性とSiC薄膜形成への応用
  
  

精密工学会 2014年度関西地方定期学術講演会（2014年7月4日，近畿大学）

• 1.足立昂拓，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P - 2)高圧マイクロ波水素プラズマ中の原子状水素密度―電力バランスカロリメトリによる評価―
  
• 2.田牧祥吾，坂口尭之，林威成，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P - 36) 大気圧VHFプラズマによる低温下(60-120 ℃)でのSi薄膜形成と薄膜トランジスタ特性評価
  
• 3.佐藤純平，鈴木貴之，藤原裕平，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P - 25) キャリアガスに Ar を用いた大気開放プラズマ酸化プロセスの開発
  
  

第11回　「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（2014年7月3日-4日，宮崎観光ホテル）

• 1.山田高寛，山田浩輔，足立昂拓，平野達也，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  金属級Siを原料とするを原料とする高純度SiHSiH4製造プロセスの開発製造プロセスの開発
  －カロリメトを用いた高圧かつ狭ギャップマイクロ波水素プラズにおける原子状水素密度の評価－
  
  

2014年度 精密工学会春季大会学術講演会（2014年3月18日-20日，東京大学）

• 1.大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (H06)高圧水素プラズマによる液体金属の蒸発促進と金属膜の超高速形成
  
• 2.藤原裕平，金谷優樹，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (H07)大気圧プラズマ酸化によるAlOx/SiO2/Siスタック構造の形成と評価
  
• 3.桑岡裕太，桝谷尚史，山田高寛，垣内弘章,安武潔，大参宏昌
  (H18)回転原料式シラン生成装置におけるシリコンエッチング特性とその最適化
  
• 4.篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (H24)高効率SiH4 生成に向けたマイクロ波水素プラズマ源の開発
  
• 5.坂口尭之，岡村康平，林威成，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (H25)大気圧VHF プラズマにより低温下（60-120℃）で形成したSi薄膜の構造及び電気特性評価
  
• 6.石川祥博，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (E09)水素プラズマ化学輸送法によるシリコンナノワイヤ成長
  
  

2014年 第61回 応用物理学会春季学術講演会（2014年3月17日-20日，青山学院大学）

• 1.稲垣耕司，森川良忠，安武潔
  (18p-PA7-2)第一原理計算に基づくHプラズマによるSi表面のエッチングレートの解析
  2.山田高寛，足立昂拓，山田浩輔，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (19a-PA3-2)高圧かつ狭ギャップマイクロ波水素プラズマにおける解離度の評価
  
  

CREST「太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出」研究領域
平成25年度　第2回公開シンポジウム（2014年2月24日，豊田工業大学）

• 1.大参宏昌，安武潔
  大気圧プラズマ科学に基づく新たなSi材料創成プロセスの開発
  －オンサイトSiH4生成プロセスにおけるB除去技術の開発－
  
  

• 大参宏昌
  超精密加工と表面科学 第2部2章3
  大阪大学出版会，ISBN:9784872594652，2014年

• H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, W. Lin, and K. Yasutake
  Effective phase control of silicon films during high-rate deposition in atmospheric-pressure very high-frequency plasma: Impacts of gas residence time on the performance of bottom-gate thin film transistors
  Surf. Coat. Technol. 234, pp. 2–7 (2013)
  
  
• Takahiro Yamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi & Kiyoshi Yasutake
  Effect of H2 Flow Rate on High-Rate Etching of Si by Narrow-Gap Microwave Hydrogen Plasma
  Plasma Chem Plasma Process (2013) 33: 797-806
  
  
• Z. Zhuo, Y. Sannomiya, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Interface properties of SiOxNy layer on Si prepared by atmospheric-pressure plasma oxidation-nitridation
  Nanoscale Research Letters 2013, 8:201
  
  
• Mitsutoshi Shuto, Fukumi Tomino, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake
  Voltage distribution over capacitively coupled plasma electrode for atmospheric-pressure plasma generation
  Nanoscale Research Letters 2013, 8:202
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, and K. Yasutake
  Study on the Growth of Microcrystalline Silicon Films in Atmospheric-Pressure VHF Plasma Using Porous Carbon Electrode
  J. Phys.: Conference Series 417 (2013) 012052.
  
  
• H. Kobayashi, H. Kakiuchi, K. Yasutake, T. Suzuki, M. Noborisaka, and N. Negishi
  Deposition of Functional Membranes by Through-Substrate Plane-Plate Dielectric-Barrier Discharge
  J. Phys.: Conference Series 441 (2013) 012024.
  
  

TACT 2013 International Thin Films Conference (Oct. 5-9, 2013 Taipei, Taiwan)

• 1.H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  TACT 2013 International Thin Films Conference (Oct. 5-9, 2013 Taipei, Taiwan)
  
  

19th International Vacuum Congress IVC-19（September 9-13, 2013 Pris, France）

• H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  selective formation of silicon film by chemical transport technique using a high-pressure narrow-gap hydrogen plasma
  
  

2013年 第74回 応用物理学会秋季学術講演会（2013年9月16日-20日，同志社大学）

• 1.山田高寛，山田浩輔，足立昂拓，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （17p-P2-33）高圧マイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングにおけるプラズマ分布の評価
  
  

2013年度 精密工学会秋季大会学術講演会（2013年9月12日-14日，関西大学）

• 1.山田高寛，山田浩輔，足立昂拓，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （K01）高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングプロセスの評価
• 2.山田浩輔，山田高寛，足立昂拓，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （K02）高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングにおけるプラズマ中でのシラン分解
• ３.稲垣耕司，森川良忠，安武潔
  （K03） 第一原理計算に基づく水素ラジカルによるSi表面エッチングの解析
  
• 4.林威成，岡村康平，坂口尭之，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （K09）大気圧VHFプラズマ によるSi の低温・ 高速成膜技術の開発
  －薄膜トランジスタの試作と性能評価－
  
• 5.藤原裕平，金谷優樹，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （K23）大気開放プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーョン技術の開発
  
• 6.長嶋優，水野裕介，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （K24）大気圧RF プラズマを用いたZnO薄膜の高速形成
  －成膜パラメータが成長様式に及ぼす影響－
  
  

精密工学会 2013年度関西地方定期学術講演会（2013年6月14日，大阪工業大学）

• 1.藤原裕平,金谷優樹,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
  (P - 4) 薄型結晶Si太陽電池のための大気開放プラズマ酸化プロセスの開発
  
• 2.林威成,岡村康平,坂口尭之,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
  (P - 10) 大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜とTFT特性の評価
  
• 3.山田浩輔,山田高寛,大参宏昌,垣内弘章,安武潔
  (P - 35) 高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングにおける発光分光計測
  
• 4.石川祥博,垣内弘章,安武潔,大参宏昌
  (P - 43) 水溶性Geを用いたプリンタブル核形成処理による選択的Si膜形成技術の開発
  
  

第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（2013年5月23日-24日，石川県立音楽堂）

• 1.山田高寛，山田浩輔，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （B-2）金属級Siを原料とする高効率SiH4製造プロセスの開発
  －高圧マイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングにおけるガス流速の影響－
  
  

2013年 第60回 応用物理学会春季学術講演会（2013年3月27日-30日，神奈川工科大学）

• 1.山田高寛，山田浩輔，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （28a-A5-5）マイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングにおけるSi基板－電極間の原子状水素密度の分布
  
  

2013年度 精密工学会春季大会学術講演会（2013年3月13日-15日，東京工業大学）

• 1.岡村康平，横山京司，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (K13)大気圧VHFプラズマによるカーボンフリーSiOx薄膜の常温・高速形成とその評価
  
• 山田浩輔，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (K14)マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングにおける電極－基板間距離の効果
  
  

CREST「太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出」研究領域
平成25年度　第1回公開シンポジウム（2013年1月23日，豊田工業大学）

• 大参宏昌，安武潔
  大気圧プラズマ科学に基づく新たなSi材料創成プロセスの開発
  －オンサイトSiH4生成プロセスにおけるB除去技術の開発－
  
  

• 垣内弘章,大参宏昌,安武 潔
  大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用
  「月間ディスプレイ」(株)テクノタイムズ社，2013年
  

• T. Yamada, H. Ohmi, K. Okamoto, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Effects of Surface Temperature on High-Rate Etching of Silicon by Narrow-Gap Microwave Hydrogen Plasma
  Jpn. J. Appl. Phys. 51, 10NA09 (2012)
  
  
• Y. Hirai, T. Yamada, M. Kondow, and F. Ishikawa
  Characterization of the Oxide Film Obtained by Wet Oxidation of Al-Rich AlGaAs
  Jpn. J. Appl. Phys. 51, 02BG10-1－02BG10-4 (2012)
  
  
• Z. Zhuo, Y. Sannomiya, K. Goto, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  Formation of SiO2/Si structure with low interface state density by atmospheric-pressure VHF plasma oxidation
  Current Appl. Phys. 12 S57-S62 (2012)
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, K. Yokoyama, K. Okamura, and K. Yasutake
  Silicon Oxide Coatings with Very High Rates (>10 nm/s) by Hexamethildisiloxane-Oxygen Fed Atmospheric-Pressure VHF Plasma: Film-Forming Behavior Using Cylindrical Rotary Electrode
  Plasma Chem. Plasma Process. 32, 533-545 (2012)
  
  
• H. Kakiuchi, K. Higashida, T. Shibata, H. Ohmi, T. Yamada, and K. Yasutake
  High-Rate HMDSO-Based Coatings in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet
  J. Non-Cryst. Solids 358, 2462-2465 (2012)
  
  

Abstract book of ninth international conference on reactive sputtering deposition p. 51.
(Dec. 13-14, 2012, Ghent, Belgium)

• 1.H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  Low temperature synthesis of SiC film by narrow gap chemical sputtering of Si and Graphite targets
  
  

8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Icho-Kaikan, Osaka University
(Dec. 10-11, 2012, Osaka,Japon)

• 1.K. Inagaki, Y. Morikawa and K. Yasutake
  First-principles Analysis of Etching Rate of Si by Hydrogen Radical
• 2.H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, and K. YasutakeHighly Efficient Formation Technology for Si-Based Functional Thin Films at Low Temperatures Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma
  
  

Abst. 59th AVS International Symposium PS+TC-WeM3 (Oct. 28-Nov. 2, 2012, Tampa, USA)

• １.K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi
  Atmospheric Pressure Plasma Processes for Preparation of Si-Based Thin Films <Invited>
• 2.H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, and K. Yasutake
  Characterization of Amorphous and Microcrystalline Si Films Grown in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma
  
  

Ext. Abst. 5th International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
(Oct. 22-24, 2012, Osaka, Japan)

• 1.K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada, and H. Kakiuch
  Atmosperic-Pressure Plasma Processing for Si Photovoltaics
• ２.H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, and K. Yasutake
  Highly Efficient Formation of Amorphous and Microcrystalline Silicon Films at Low Temperatures Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma
• ３.Z. Zhuo, Y. Sannomiya, Y. Kanetani, Y. Fujiwara, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Formation of Passivation Films for Si Surfaces by Atmospheric-Pressure VHF Plasma Oxidation
• 4.T. Yamada, K. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  H2 Flow Rate Dependence of High-Rate Etching of Si by Narrow-Gap Microwave Hydrogen Plasma
• 5.N. Masuya, H. Kakiuchi, K. Yasutake, and H. Ohmi
  Effect of plasma drive frequency on crystalline Si etching behavior in PFC-free high pressure dry etching method
  
• 6.K. Okamura, K. Yokoyama, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Silicon Oxide Depositions with High Rates at Room Temperature from Hexamethyldisiloxane Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma
• 7.Y. Onoshita, H. Kakiuchi, K. Yasutake, and H. Ohmi
  Chamber cleaning-free Si formation process with high deposition rate by narrow gap plasma enhanced chemical transport
• 8.T. Tsushima, A. Hirano, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Characterization of Si Films Prepared with Very High Rates Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma
• 9.M. Shuto, F. Tomino, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Calculation of Voltage Distribution over CCP Electrode during Atmospheric-Pressure Plasma Generation
• 10.Y. Mizuno, M. Nagashima, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Structural Characterization of Zinc Oxide Films Prepared in Atmospheric-Pressure Radio Frequency Plasma
  
  

11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM
(Symposium on Plasma Science for Materials) 3T-O05 (Oct. 2-5, 2012, Kyoto, Japan)

• 1.H. Kobayashi, H. Kakiuchi, K. Yasutake, T. Suzuki, M. Noborisaka, N. Negishi
  Deposition of Functional Membranes by Through-Substrate Surface Discharge
  
  

2012 Kyrgyz-Japan Solar Energy Workshop (July 10-12, 2012, Bishkek, Kyrgyz)

• 1.K. Yasutake
  Recent Advances in Si Solar Cell Technology <Invited>
• 2. <Invited> K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada and H. Kakiuchi
  Atmospheric Pressure Plasma Processing for Si Photovoltaics
  
  

2012年度 精密工学会秋季大会学術講演会（2012年9月14日-16日，九州工業大学）

• 1.金谷優樹，三宮佑太，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (E15)大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発―大気圧プラズマ酸化によるSiO2の低温高速形成―
• ２.岡本康平，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (E18)Siのマイクロ波水素プラズマエッチングにおける水素ガス流れと熱伝導のシミュレーション
  
  

2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月11日-14日，愛媛大学・松山大学）

• 1.山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (13a-E1-19)狭ギャップマイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングから生成したSiH4分子の再分解に関する研究
• 2.尾下勇太，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (13a-E2-5)大気圧近傍のプラズマ処理によるガラス基板上へのSi膜形成用Ge核の形成
• 3.大参宏昌，梅原弘毅，垣内弘章，安武潔
  (13p-E2-15)固体ソース高圧力ドライエッチング法による太陽電池向け結晶シリコンの表面処理
• 4.平野亮，對馬哲平，林威成，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (12a-F5-3)大気圧VHFプラズマを用いたSiの高速成膜とその電気特性評価
• 5.三宮佑太，金谷優樹，卓澤騰，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (12a-F6-4)大気圧プラズマ酸化によるSiO2の低温形成
  
  

精密工学会 2012年度関西地方定期学術講演会（2012年6月15日，立命館大学）

• 1.岡本康平，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-11)狭ギャップマイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングから生成した SiH4分子のプラズマ中での再分解に関する原子状水素密度とガス滞在時間との関係
• ２.桝谷尚史，梅原弘毅，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (P-21)PFCフリー高圧力プラズマエッチング技術における励起周波数とプロセス特性の相関
• 3.岡村康平，横山京司，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-37)大気圧 VHF プラズマによる SiOx 常温・高速成膜とその特性評価
• 4.ZT. Zhuo，Y. Sannnomiya，T. Yamada，H. Ohmi，H. Kakiuchi，K. Yasutake
  (P-48)Atmospheric-Pressure VHF Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface
  
  

2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月15日-18日，早稲田大学）

• 1.山田高寛，岡本康平，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (16a-A6-15)狭ギャップマイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングにおけるSiH4再分解の影響
• 2.稲垣耕司，森川良忠，安武潔
  (16a-A6-16)HラジカルによるSi表面プラズマエッチングにおける表面H拡散の役割
  
• 3.平野亮，對馬哲平，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (17p-B8-15)大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速形成とその特性評価
  
• 4.岡本康平，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (17p-B8-16)狭ギャップマイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングにおける水素ガス流量の影響
  
• 5.横山京司，岡村康平，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (17p-B8-17)大気圧VHFプラズマにより常温・高速形成したシリコン酸化膜の特性評価
  6.三宮佑太，後藤一磨，卓澤騰，金谷優樹，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (17a-A4-3)大気圧VHFプラズマによるシリコン表面パッシベーションプロセスの開発
  
  

2012年度 精密工学会春季大会学術講演会（2012年3月14日-16日，首都大学東京）

• 1.大参宏昌，梅原弘毅，垣内弘章，安武潔
  (B04) 高圧プラズマ固体ソースエッチング法におけるプラズマ励起周波数の影響
• 2.水野裕介，峰執大，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (E15) 大気圧RF プラズマを用いたZnO薄膜の高速形成と特性評価
  
• 3.岡村康平，横山京司，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (E16) 大気圧VHF プラズマにより常温・高速形成したSiOx 薄膜の特性評価
  
• 4.金谷優樹，後藤一磨，三宮佑太，卓澤騰，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (E18) エピタキシャルSi太陽電池形成のための大気圧プラズマCVD 技術の開発
  5.尾下勇太，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (E19) 大気圧プラズマ化学輸送法によるSi膜の選択成長
  
• 6.對馬哲平，平野亮，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (E20) 大気圧VHFプラズマによるSiの低温・高速成膜とSi成長プロセスの考察
  
• 7.卓澤騰，三宮佑太，後藤一磨，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (E21)Surface passivation of Si by atmospheric-pressure plasma oxidation at low temperatures
  
  

• 垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔
  大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用
  OPTRONICS, 2012, No. 6, 88-93.
  
  

• 安武潔，垣内弘章，大参宏昌
  大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成
  改訂版「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」（監修 小駒益弘）第5章 第1節
  (サイエンス＆テクノロジー，東京，2012) pp.197-219.

• H. Ohmi, T. Hori, T. Mori, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Low-temperature synthesis of microcrystalline 3C-SiC film by high-pressure hydrogen-plasma-enhanced chemical transport
  J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 235202(8pp) (2011)
  
  
• K. Inagaki, R. Kanai, K. Hirose, and K. Yasutake
  First-Principles Molecular-Dynamics Calculations on Chemical Reactions and Atomic Structures Induced by H Radical Impinging onto Si (001) 2 × 1: H Surface
  J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 2952-2955 (2011)
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, and K. Yasutake
  Study on the Growth of Heteroepitaxial Cubic Silicon Carbide Layers in Atmospheric-Pressure H2-Based Plasma
  J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 2903-2909 (2011)
  
  
• K. Nakamura, Y. Yamaguchi, K. Yokoyama, K. Higashida, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Room-Temperature Formation of Low Refractive Index Silicon Oxide Films Using Atmospheric-Pressure Plasma
  J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 2851-2855 (2011)
  
  
• H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi, T. Hosoi, T. Shimura, and K.Yasutake
  Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC (0001) Using High-Density Atmospheric Pressure Hydogen Plasma
  J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 2802-2808 (2011)
  
  
• Y. Kuwahara, A. Saito, K. Arima, and H. Ohmi
  Center of Excellence for Atomically Controlled Fabrication Technology
  J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 2763-2776 (2011)
  
  
• K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Inagaki, Y. Oshikane and M. Nakano
  An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma　
  J. Phys.: Condens. Matter 23 (2011) 394205 (22pp).
  
  
• H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Purified Silicon Film Formation from Metallurgical-Grade Silicon by Hydrogen Plasma Induced Chemical Transport
  Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 08JD01-1-6
  
  

21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference
(Nov. 28-Dec. 2, 2011, Fukuoka, Japan) p.68.

• 1.T. Yamada, K. Okamoto, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Effects of Surface Temperature on High-Rate Etching of Silicon by Narrow-Gap Microwave Hydrogen Plasma
  
  

TACT2011 International Thin Films Conference (Nov. 20-23, 2011, Kenting Taiwan), A20111019002

• 1.H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Chemical transport technique in high-pressure plasma for crystalline Si based　solar cell <Invited>
  
  

ITFPC-MIATEC 2011，Innovations in Thin Film Processing and Characterisation &Magnetron, Ion processing andArc Technologies European Conference (Nov. 14-17, 2011, Nancy, France), p.p. 60

• 1.H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Purified epitaxial Si film made from low-purity Si feedstock by high-pressure plasma gasification method (Oral)
  
  

Abst. 15th International Conference on Thin Films, 2011 (Nov. 8-11, 2011, Kyoto, Japan)

• 1.H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, K. Yasutake
  Study on the Growth of Hydrogenated Amorphous and Microcrystalline Silicon Films Deposited with High Rates Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma (P.53.)
• 2.Y. Sannnomiya, K. Goto, ZT. Zhuo, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Si Surface Passivation (P.54.)
• 3.K. Yokoyama, K. Okamura, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  Structural Characterization of Room-Temperature Silicon Oxides Deposited from Hexamethyldisiloxane-Oxygen Mixtures Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma (P54)　
  
  

Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology
(Oct. 31-Nov. 2, 2011, Osaka, Japan).

• 1.K. Yasutake, H. Ohmi, T. Yamada and H. Kakiuchi
  Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Functional Thin Films at Low-Temperatures (pp.38-39.)
  
• 2.K. Inagaki , K. Hirose, Y. Morikawa and K. Yasutake
  First-principles analysis on Si(001) etching by hydrogen radicals (pp.40-41.)
• 3.ZT. Zhuo, K. Goto, Y. Sannomiya, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Formation of SiOxNy Films for Passivation of Si Surfaces by Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation (pp.228-229.)　　　
• 4.K. Yokoyama, K. Okamura, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Silicon Oxide Anti-Reflection Coatings from Hexamethyldisiloxane at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure VHF plasma
  (pp.230-231.)
  
• 5.S. Mine, K. Okamura, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Fundamental Study on the Film Growth from Organometallic precursors Using Atmospheric-Pressure Radio-Frequency Plasma
  (pp.232-233.)　　　
• 6.K. Higashida, T. Shibata, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Deposition Characteristics of Silicon Oxides in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet (pp.234-235.)　　　
• 7.T. Yamada, K. Okamoto, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Effects of Substrate Temperature on High-Rate Etching of Silicon by Microwave H2 Plasma (pp.236-237.)
• 8.A. Hirano, T. Tsushima, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Influence of the Electrode Configuration on the Growth of Microcrystalline Si Films in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma
  (pp.238-239.
  
  

Proc. 2011 Korea & Japan Symposium on Solar Cells, (Sep. 26-27, 2011, Mokpo city, Korea)

• 1.<Invited>K. Yasutake, H. Kakiuchi, T. Yamada and H. Ohmi
  New Formation Processes for Solar-Grade Si and TCO Films Using Atmospheric-Pressure Plasma Technology Invited
• 2.<Invited>H. Kakiuchi, H.Ohmi, T. Yamada, and K.Yasutake
  High-Rate Deposition of Amorphous and Microcrystalline Si Films Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma
  　　　

Book of Abst. of The 24rd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 24)
(Aug. 21-26, 2011, Nara, Japan)

• 1.S. Mine, S. Okazaki, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Growth and Properties of Zinc Oxide Films Prepared in Atmospheric-Pressure Radio Frequency Plasma (p.152.)
  
• 2.K. Higashida, K. Nakamura, T. Shibata, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Deposition Characteristics of Silicon Oxides in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet (p.156.)
  
  

18th International Colloquium on Plasma Processes (CIP2011), (July 4-8, 2011, Nantes, France)

• 1.H. Ohmi, K. Umehara, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  Surface treatment for crystalline Si solar cell using a solid source high-pressure plasma etching method: texturing and affected layer removal (CIP 11 Abstract booklet pp.189)
  
  

日本物理学会2011年秋季大会（2011年9月21日-24日，富山大学）

• 1.稲垣耕司，広瀬喜久治，森川良忠，安武潔
  (23pPSB-23)HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析-飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存
  
  

2011年度 精密工学会秋季大会学術講演会（2011年9月20日-22日，金沢大学）

• 1.堀貴博，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (J36)結晶シリコン太陽電池用エミッタ層への応用を目指した高圧プラズマ化学輸送法による微結晶SiC薄膜の形成
• 2.後藤一磨，卓澤騰，三宮佑太，金谷優樹，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (J40)大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発
  
• 3.梅原弘毅，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (J44)エッチャント原料ガスフリーなプラズマエッチング法による太陽電池用シリコン基板の表面改質特性
  

2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会シンポジウム（2011年8月29日，山形大学）
「グリーン・ライフイノベーションに向けたプラズマプロセス応用技術とその展望」

• 1.大参宏昌
  (29p-ZN-2) 結晶シリコン太陽電池への応用に向けたプラズマ化学輸送技術の開発（30分）
  
  

2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月29日-9月2日，山形大学）

• 1.横山京司，岡村康平，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (1a-ZC-5) 大気圧VHFプラズマにより常温・高速形成したシリコン酸化膜の構造評価
  
• 2.東田皓介，中村慶，柴田哲司，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (1a-ZC-6) プラズマジェットにより常温・大気開放下で形成したシリコン酸化膜の特性
  
• 3.峰執大，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔，岡崎真也
  (1a-ZC-21) 大気圧プラズマCVD法を用いたZnO薄膜の形成と真空アニール処理効果の検討
  
• 4.山田高寛，岡本康平，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (30a-M-6) 狭ギャップマイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングにおける表面温度の効果
  
• 5.平井裕一郎，山田高寛，近藤正彦，石川史太郎
  (31a-A-1) 高Al組成AlxGa1-xAs水蒸気酸化により形成したAlOx薄膜の光学的特性評価　
  
  

第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム(2011年6月30日-7月1日，じゅうろくプラザ)

• 1.安武潔，大参宏昌，山田髙寛，稲垣耕司，垣内弘章
  大気圧近傍のマイクロ波水素プラズマを用いたSi材料創成プロセスの開発
  
  

精密工学会 2011年度関西地方定期学術講演会（2011年6月30日，兵庫県立大学）

• 1.横山京司，岡村康平，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-8)大気圧VHFプラズマによるSiOx反射防止膜形成プロセスの検討
  
• 2.三宮佑太，後藤一磨，卓澤騰，金谷優樹，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-11)大気圧プラズマを用いたシリコン表面パッシベーションプロセスの開発
  
• 3.尾下勇太，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  
• (P-22)大気圧プラズマ化学輸送法によりSi基板上に形成したSi膜構造に与える基板温度の影響
  
• 4.平野亮，對馬哲平，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-31)大気圧VHF プラズマによる微結晶Si の成膜特性に及ぼす電極構造の影響
  
• 5.峰執大，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔，岡崎真也
  (P-35)大気圧プラズマCVDによるZnO薄膜の形成とその電気特性評価
  
• 6.東田皓介，中村慶，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔，柴田哲司
  (P-42)大気圧プラズマジェットを用いた常温・大気開放下でのシリコン酸化膜の高速形成とその評価
  
• 7.岡本康平，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (P-48)マイクロ波水素プラズマを用いたSi 高速エッチングにおける基板温度の影響
  
  

日本物理学会2011年年次大会(2011年3月25-28日, 新潟大学)

• 1.稲垣耕司, 広瀬喜久治, 森川良忠, 安武潔
  (27pPSA-46) HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与
  
  

2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会シンポジウム（2011年3月25日，神奈川工科大学）プラズマエレクトロニクス分科会企画「プラズマテクノロジーが未来を創る ～プラズママップから見るプラズマプロセス技術の将来展望～」

• 1.大参宏昌
  (25p-BS-2) 大気圧近傍でのプラズマ化学輸送を利用したシリコン材料プロセス（30分）
  
  

2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月24日-27日，神奈川工科大学）

• 1.峰執大，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔，岡崎真也
  (26a-BG-9) 大気圧プラズマCVD法によるZnO薄膜の高速形成とその評価
  
• 2.横山京司，水野裕介，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武　潔
  (26p-BG-2) 大気圧VHFプラズマによるシリコン酸化膜の常温・高速形成とその構造評価
  
• 3.東田皓介，中村慶，柴田哲司，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (26p-BG-4) 大気圧プラズマジェットを用いた常温・大気開放下でのシリコン酸化膜の成膜特性
  
• 4.山田高寛，岡本康平，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (27p-BG-6) 狭ギャップマイクロ波水素プラズマを用いたSi高速エッチングにおける基板温度の効果
  
• 5.後藤晃弘，森哲哉，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (27a-BA-4) 大気圧近傍水素プラズマによるGeO2の高速還元とSi選択成長への応用
  
  

2011年度 精密工学会春季大会学術講演会（2011年3月14日-16日，東洋大学）

• 1.卓澤騰，大西崇之，後藤一磨，三宮佑太，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (A66)Surface Passivation of N-type Si Surfaces Using SiO2 Grown by Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation
  
• 2.梅原弘毅，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (A67) シリコン太陽電池製造に向けたPFC ガスフリーな大気圧ドライエッチング技術の開発
  
• 3.堀貴博，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (A68) 高圧水素プラズマ化学輸送法により形成した微結晶SiC 薄膜の構造が電気特性に及ぼす影響
  　

• K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi
  Preparation of Si-Based Thin Films Using Atmospheric Oressure Plasma Chemical Vapour Deposition (CVD)
  "Generation and Application of Atmospheric Pressure Plasmas" NOVA, 141-162, 2011
  
  
• 垣内弘章，大参宏昌，安武潔
  薄膜Si太陽電池開発に向けたプラズマCVD技術
  「大気圧プラズマの技術とプロセス開発（監修　沖野晃俊）」第Ⅱ編　第２章　
  （シーエムシー出版，東京，2011）pp83-91
  
  

• H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Yamaguchi, K. Nakamura and K. Yasutake
  Low refractive index silicon oxide coatings at room temperature using atmospheric-pressure very high-frequency plasma
  Thin Solid Films 519 (2010) 235-239.
  
  
• Hiromasa Ohmi, Yoshinori Hamaoka, Daiki Kamada, Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake
  Formation of microcrystalline SiC films by chemical transport with a high-pressure glow plasma of pure hydrogen
  Ｔhin Solid Films 519 (2010) 11-17.
  
  
• Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kei Nakamura, Yoshihito Yamaguchi and Kiyoshi Yasutake
  Room-Temperature Silicon Nitrides Prepared with Very High Rates (> 50 nm/s) in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma
  Plasma Chem. Plasma Process 30 (2010) 579-590.
  
  
• H. Ohmi, K. Kishimoto, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  PFC-Free Dry Etching Method for Si Using Narrow-Gap VHF Plasma at Subatmospheric Pressure
  J. Electrochem Soc. 157 (2010) D85-D89.
  
  
• Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Investigation of structural properties of high-rate deposited SiNx films prepared at low temperatures (100–300 C) by atmospheric-pressure plasma CVD
  Phys. Stat. Sol. C 7, 824-827 (2010).
  
  
• K. Ouchi, K. Tabuchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Characterization of microcrystalline Si films deposited at low temperatures with high rates by atmospheric-pressure plasma CVD
  Phys. Stat. Sol. C 7, 545-548 (2010).
  
  

9th Int. Conf. on Reactive Sputter Deposition (Dec. 9-10, 2010, Ghent, Belgium)

• 1.H. Ohmi, A. Goto, H. Kakiuchi, and K Yasutake
  Structural and electrical property of Si film prepared by chemical sputtering in a hydrogen plasma at sub atmospheric-pressure
  (>100 Torr)(P4.)
  
  

Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology (Nov. 24-26, 2010, Osaka)

• 1.H. Ohmi
  Plasma Enhanced Chemical Transport Technique at High Pressure for Si Based Photovoltaic Device Fabrication
  - Technology Status and Prospect - (pp.52-53)
  
• 2.K. Inagaki, K. Hirose, Y. Morikawa and K. Yasutake
  First-principle Analysis Silicon Etching by Hydrogen Radical -Diffusion of Absorbed Hydrogen Atom on Si(001) 2x1 Surface- (pp.92-93)
  
• 3.K. Higashida, K. Nakamura, T. Shibata, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Open Air Deposition of Silicon Oxide Films at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet (pp.108-109)
• 4.T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  High Speed Etching of Si by VHF Subatmospheric Pressure Hydrogen Plasma (pp.196-197)
  
• 5.A. Goto, K. Umehara, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
  Study on the Properties of Poly-Si Films by Using Atmospheric-pressure Plasma Enhanced Chemical Transport (pp.198-199)
  
• 6.K. Umehara, K. Yasutake, K. Kishimoto, H. Kakiuchi and H. Ohmi
  Study on Plasma Etching Method for Si by Utilizing a Solid Fluoropolymer as On-site Etchant Generator (pp.204-205)
• 7.T. Hori, T. Mori, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
  Study on the Structure and Electrical Properties of m-SiC films Prepared by Plasma Enhanced Chemical Transport at Sub-atmospheric Pressure (pp.206-207)
• 8.Z. T. Zhuo, T. Ohnishi, K. Goto, Y. Sannomiya, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Development of Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Surface Passivation of Si (pp.208-209)
  
• 9.K. Tabuchi, A. Hirano, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Influence of Process Parameters on the Material Properties of Microcrystalline Si Prepared Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma (pp.210-211)
  
• 10.K. Yokoyama, Y. Mizuno, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Structural Characterization of Room-Temperature Silicon Oxides Deposited from Hexamethyldisiloxane-Oxygen Mixtures at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma (pp.212-213)
  
  

Abst. 32nd Int. Symp. on Dry Process (Nov. 11-12, 2010, Tokyo Tech)

• 1.<Invited> H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake
  Atmospheric-Pressure Plasma Technology for the High-Rate and Low-Temperature Deposition of Si Thin Films (pp.3-4.)
  
  

Conf. Proc. 7th ICRP and 63rd GEC, (Oct. 4-8, 2010, Paris)

• 1.Z.T. Zhuo, T. Ohnishi, K. Goto, Y. Sannomiya, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface (CTP-090.)
  2.Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, and Kiyoshi Yasutake
  Room-Temperature Deposition of Silicon Nitride Films with Very High Rates Using Atmospheric-Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition
  (CTP-183.)
• 3.Hiromasa Ohmi, Tetsuya Mori, Takahiro Hori, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
  Synthesis of microcrystalline SiC film at low temperature (≤ 600°C) by hydrogen plasma chemical transport at sub atmospheric pressure
  (DTP-037.)
  
• 4.<Invited> Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi
  Purified Si Film Formation from Metallurgical-Grade Si by Hydrogen Plasma Induced Chemical Transport (VF2-001.)
  
  

Abst. 2010 MRS Spring Meeting, Symposium A: Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science andTechnology–2010, San Francisco, April 6-9, 2010.

• 1.<Invited> K. Yasutake, H. Ohmi and H. Kakiuchi
  Chemical Transport Deposition of Purified Poly-Si Films from Metallurgical-Grade Si Using Subatmospheric-Pressure H2 Plasma (A10.1)
  
  

Abst. The 3 rd Int. Conf. on Plasma Nanotechnology & Science (IC-PLANTS 2010), Nagoya, March 11-12, 2010.

• 1.<Invited> K. Yasutake, H. Ohmi and H. Kakiuch
  New Formation Process of Solar-Grade Si from Metallurgical-Grade Si by Chemical Transport in Near Atmospheric-Pressure Plasma (I-01)
  
  

精密工学会 2010年度 秋季大会学術講演会（2010年9月27-29日， 名古屋大学）

• 1.峰執大, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔, 岡崎慎也
  (N08) 大気圧プラズマCVDによるZnO 薄膜の低温・高速形成とその構造評価
  
• 2.後藤一磨, 卓澤騰, 大西崇之, 三宮佑太, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔
  (N09) 大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション膜の形成
  
• 3.中村慶, 東田皓介, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔, 柴田哲司
  (N13) プラズマジェットを用いて常温・大気開放下において形成したシリコン酸化膜の特性
  
  

日本物理学会2010年秋季大会(2010年9月23-26日, 大阪府立大)

• 1.稲垣耕司, 広瀬喜久治, 安武潔
  (24aPS-82) 水素終端化Si(001)2x1表面に過剰吸着したHの拡散
  
  

2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月14-17日， 長崎大学）

• 1.稲垣耕司，広瀬喜久治，安武潔
  (14p-S-10)　H終端2x1Si(001)表面に過剰吸着したH原子の拡散過程
  
  

精密工学会 2010年度関西地方定期学術講演会（2010年5月28日，京都大学）

• 1.横山京司，水野裕介，大参宏昌，垣内弘章，安武　潔
  (8C) 大気圧プラズマCVDにるSiO2の常温・高速成膜とその構造評価
  
• 2.田渕圭太，平野 亮，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (11C) 大気圧VHFプラズマを用いた微結晶シリコン薄膜の低温・高速形成と膜成長プロセスの考察
  
• 3.Z.T. Zhuo，T. Ohnishi，K. Goto，H. Ohmi，H. Kakiuchi，K. Yasutake
  (17C) Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation Process for Passivation of Si Surface
  
• 4.堀 貴博，森 哲哉，垣内弘章，安武 潔，大参宏昌
  (18C) 大気圧プラズマ化学輸送法によるSi 基板上への微結晶SiC 薄膜の形成と構造・電気特性の評価
  
• 5.梅原弘毅，後藤晃弘，垣内弘章，安武 潔，大参宏昌
  (19C) 大気圧プラズマ化学輸送法による多結晶Siの形成と構造・電気特性の評価
  
• 6.東田皓介，中村慶，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔，柴田哲司（パナソニック電工）
  (58C) プラズマジェットによる常温・大気開放下でのSiOxの成膜特性
  
  

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月17日-20日，東海大学湘南）

• 1.舩木毅，中濱康治，かど野勝，安武潔，大参宏昌
  (19a-ZB-9)「講演奨励賞受賞記念講演」狭ギャップマイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングとそのエッチング面の評価
  
• 2.中濱康治，舩木毅，かど野勝，安武潔，大参宏昌
  (19a-ZB-10) 狭ギャップマイクロ波水素プラズマを用いた固体SiからのSiH4生成
  
• 3.大参宏昌，安武潔，中濱康治，舩木毅，かど野勝
  (19a-ZB-11) リモート型水素プラズマ化学輸送法による精製Si 膜の形成
  
• 4.稲垣耕司，金井良太，広瀬喜久治，安武潔
  (20a-C-9 H)ラジカルによるSi(001)表面エッチング過程の解析 -吸着構造の第一原理シミュレーション-
  
  

2010年度　精密工学会春季大会学術講演会（2010年3月16-18日，埼玉大学）

• 1.中村慶，山口賀人，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (F61) 大気圧VHFプラズマを用いて常温・高速形成したシリコン酸化膜の特性
  
  

• 垣内弘章
  大気圧プラズマCVDによる低温・高速成膜
  第21回プラズマエレクトロニクス講習会「プラズマプロセスの基礎から応用最前線」・
  実践的プラズマ制御技術～先進デバイスから環境基盤技術を中心に テキスト　73-83, 2010
  
  
• 垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔
  大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術
  ケミカルエンジニヤリング　55, 1-7, 20
  
  
• 大参宏昌
  大気圧プラズマ化学輸送法による太陽電池用シリコン膜の作製
  大阪大学　低温センターだより　152, 21-26, 2010
  
  

• H. Ohmi, A. Goto, D. Kamada, Y. Hamaoka, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport
  Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 181506-1-3.
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Ouchi, K. Tabuchi and K. Yasutake
  Microcrystalline Si films grown at low temperatures (90-220 C) with high rates in atmospheric-pressure VHF plasma
  J. Appl. Phys. 106 (2009) 013521 1-6.
  
  
• T. Ohnishi, Y. Kirihata, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD
  ECS Transactions 25 (2009) 309-315.
  
  
• K. Tabuchi, K. Ouchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Characterization of High-Rate Deposited Microcrystalline Si Films Prepared Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma
  ECS Transactions 25 (2009) 405-412.
  
  
• H. Sekimoto, Y. Nose, T. Uda, S. Sato, H. Kakiuchi and Y. Awakura
  Reduction of titanium oxide in the presence of nickel by nonequilibrium hydrogen gas
  J. Mater. Res. 24 (2009) 2391-2399.
  
  

Ext. Abst. 2nd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology, (Nov. 25-26, 2009, Osaka.)

• 1.K. Yasutake, H. Ohmi, K. Inagaki and H. Kakiuchi
  New Formation Process of Solar-Grade Si Material Based on Atmospheric-Pressure Plasma Science (pp.24-25)
• 2.K. Inagaki, R. Kanai, H. Hirose and K. Yasutake
  First-Principles Molecular-Dynamics Simulation of Reaction in CVD Si Epitaxial Thin Film Growth Process – Hydrogen Coverage Dependence on Incident Radical Temperature – (pp.118-119)
• 3.A. Goto, D. Kamada, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
  Epitaxial Growth of Si ay Low Temperature (< 400 C) by Atmospheric-Pressure Plasma Enhanced Chemical Transport (pp.152-153)
• 4.T. Mori, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
  Direct Formation Method of Patterned Germanium Film on Glass (pp.154-155)
• 5.T. Ohnishi, K. Goto, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Low-Temperature Si Epitaxial Growth by Atmospheric-Pressure Plasma CVD (pp.156-157)
• 6.K. Nakamura, Y. Yamaguchi, K. Yokoyama, K. Higashida, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Characterization of Room-Temperature Silicon Oxide Films Deposited with High Rates in Atmospheric-Pressure VHF Plasma (pp.158-159)
• 7.K. Tabuchi, K. Ouchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Study on the Growth of Microcrystalline Si Films at Low Temperatures in Atmospheric-Pressure VHF Plasma (pp.160-161)
  
  

12th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations (Beijing, Oct. 26-28, 2009.)

• 1.Kouji Inagaki, Ryota Kanai, Kikuji Hirose, and Kiyoshi Yasutake
  First-principles molecular-dynamics analysis on hydrogen coverage in chemical vapor deposition of silicon thin film (P24)
  
  

13th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (Oct. 18-23, 2009, Turkey.)

• 1.H.Ohmi,K.Kishimoto, H. Kakiuchi, K. Yasutake
  Low temperature epitaxial growth of Si film on Si(001) substrate by plasma enhanced chemical transport at sub atmospheric-pressure
  (p.303)
• 2.T.Mori, H. Kakiuchi, K. Yasuake, H. Ohmi
  Low-temperature and high-rate reduction of GeO2 on glass substrate by high pressure hydrogen plasma (p.186)
  
  

Abst. 216th ECS meeting (Oct. 1, 2009, Austria.)

• 1.T. Ohnishi, Y. Kirihata, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD (p.2499)
  
• 2.K Tabuchi, K. Ouchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Characterization of High-Rate Deposited Microcrystalline Si Films Prepared Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma
  (p.2510)
  
  

24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, (Sept. 1, 2009, Hamburg).

• 1.H. Ohmi, D. Kamada, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Elimination Property of Metal-Impurities from MG-Si by Atmospheric-Pressure Plasma Enhanced Chemical Transport (3AV.1.19.)
  
• 2.T. Mori, A. Goto, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
  Photo-Electrical Property of the Poly-Si Film Prepared by Atmospheric-Pressure Plasma Enhanced Chemical Transport (3AV.1.18.)
  
  

Book of Abst. of The 23rd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 23)　　　 (Aug. 1, 2009, The Netherlands).

• 1.Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Investigation of Deposition Characteristics and Properties of High-Rate Deposited SiNx Films Prepared at low temperatures (100–300 C) by Atmospheric-Pressure Plasma CVD (p. 22)
• 2.K. Ouchi, K. Tabuchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Characterization of Microcrystalline Si Films Deposited at Low Temperatures with High Rates by Atmospheric-Pressure Plasma CVD (p.42)
  
  

Ext. Abst. 1st Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology,
-Surface and Thin Film Processing-, Feb. 16-17, 2009, Icho-Kaikan, Osaka University, Japan).

• 1.K. Yasutake, H. Ohmi and H. Kakiuchi
  Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Efficient Formation of Si Thin Films at Low Temperatures (pp.6-7)
  
• 2.H. Ohmi, T. Mori, A. Goto, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Structural and Electrical Property of the Poly-Si Film Prepared by Atmospheric-Pressure Plasma Chemical Transport (pp.36-37)
  
• 3.D. Kamada, T. Katayama, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
  FT-IR Analysis of Precursor Gases in Atmospheric-pressure Plasma Enhanced Chemical Transport Method (pp.38-39)
  
• 4.T. Mori, K. Iwamoto, A. Goto, H. Kakiuchi, K. Yasutake and H. Ohmi
  Low-Temperature and High-Rate Reduction of GeO2 on Glass Substrate by High Pressure Hydrogen Plasma (pp.40-41)
  
• 5.K. Iwamoto, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Study on Sterilization Factor of B. Atrophaeus by an Atmospheric-Pressure Mist Plasma (pp.42-43)
  
• 6.Y. Kirihata, T. Ohnishi, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric-Pressure Plasma CVD (pp.44-45)
  
• 7.K. Ouchi, K. Tabuchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Characterization of Microcrystalline Si Films Deposited with High Rates by Atmospheric-Pressure (pp.46-47)
  
• 8.Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Room-Temperature Formation of Silicon Dioxide Films by Atmospheric-Pressure Plasma CVD UsingCylindrical Rotary Electrode (pp.48-49)
• 9.K. Inagaki, R. Kanai, K. Hirose and K. Yasutake
  First-Principles Molecular-Dynamics Analysis of Surface Reaction in Low-Temperature Si Thin Film Growth
  – Adsorption of Reactive Precursors onto H-Terminated Si Surface – (pp.50-51)
  
  

日本物理学会2009年秋季大会（2009年9月25日-28日，熊本大学）

• 1.稲垣耕司，金井良太，広瀬喜久治，安武潔
  26pPSB-41) 低速Hラジカル照射下におけるSi(001)2×1表面H被覆率の第一原理計算
  
  

2009年度 精密工学会秋季大会学術講演会（2009年9月10日-12日，神戸大学）講演論文集

• 1.中村　慶，山口賀人，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (pp.581-582) 大気圧VHFプラズマによるシリコンナイトライドの常温・高速成膜
  
• 2.田渕圭太，尾内健太郎，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (pp.583-584) 大気圧VHFプラズマによる微結晶Si薄膜の低温・高速形成に関する研究-熱流体解析を用いた膜成長プロセスの考察-
  
• 3.大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (pp.587-588) 大気圧プラズマ化学輸送法とその将来展望［キーノートスピーチ］
  
• 4.大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (pp.589-590) 大気圧プラズマ化学輸送法を用いたドライエッチング技術の開発
  
  

第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集（2009年9月8日-11日，富山大学）

• 1.後藤晃弘，鎌田大毅，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (p.181) 大気圧プラズマ化学輸送法による金属級Siを用いた精製Si薄膜の形成（講演奨励賞受賞記念講演）
  
• 2.舩木毅，中濱康治，かど野勝､安武潔，大参宏昌
  (p.182) 狭ギャップマイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチング
  
• 3.舩木毅，中濱康治，かど野勝､安武潔，大参宏昌
  (p.182) 狭ギャップマイクロ波水素プラズマにより高速エッチングされたSi表面の評価
  
• 4.山口賀人，横山京司，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (p.182) 大気圧VHFプラズマにより常温・高速形成したSiO2薄膜の構造に及ぼすH2添加の効果
  
  

精密工学会 2009年度関西地方学術講演会（2009年5月13日，千里ライフサイエンスセンター，大阪)

• 1.田渕圭太，尾内健太郎，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (pp.15-16) 大気圧・超高周波プラズマ中で低温・高速形成した微結晶Si薄膜の特性
  
• 2.中村慶，山口賀人，東田皓介，横山京司，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (pp.17-18) 大気圧プラズマCVDにより常温で形成したSiO2薄膜の構造評価
  
• 3.大西崇之，後藤一磨，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (pp.19-20) 大気圧プラズマCVDによる低温in situドープSi選択エピタキシャル成長に関する研究
  
• 4.森 哲哉，鎌田大毅，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (pp.23-24) 大気圧プラズマ化学輸送法により低温形成した微結晶SiCの特性評価
  5.後藤晃弘，鎌田大毅，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  大気圧プラズマ化学輸送法による金属級Siの精製 (I)
  
• 6.金井良太，稲垣耕司，広瀬喜久治，安武潔
  (pp.97-98) 大気圧プラズマCVD法によるSi薄膜成膜における高分解前駆体表面反応の理論解析
  
  

精密工学会 2009年度関西地方学術講演会（2009年5月13日，千里ライフサイエンスセンター，大阪）

• 1.安武 潔
  特別講演「低温・高速・高品質を実現する大気圧プラズマプロセスによる薄膜形成技術 」
  
  

第44回応用物理学会スクール「安価,簡単,便利～大気圧プラズマの基礎と応用～」（2009年4月2日，筑波大）

• 1.安武潔，大参宏昌，垣内弘章
  大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の低温形成 (資料集pp.31-42)
  
  

2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月30日-4月2日，筑波大）

• 1.後藤晃弘，鎌田大毅，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (31a-ZT-22) 大気圧プラズマ化学輸送法による金属級Si中の金属不純物の除去特性
  
• 2.森哲哉，鎌田大毅，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
  (30p-TF-3) 大気圧プラズマ化学輸送法による微結晶SiC薄膜の低温形成
  
  

2009年度　精密工学会春季大会学術講演会（2009年3月11-13日，中央大学）

• 1.田渕圭太，尾内健太郎，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  (pp.695-696) 大気圧プラズマCVDによる微結晶Si薄膜の低温・高速形成－膜構造の安定性評価
  
• 2.大西崇之，桐畑　豊， 大参宏昌， 垣内弘章， 安武潔
  (pp.697-698)　大気圧プラズマCVD 法によるSi 選択エピタキシャル成長に関する研究
  
  

• 1.垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔
  大気圧・超高周波プラズマを用いた微結晶Siの低温・高速成膜
  表面技術 60 (2009) 371-375.
  
  2.垣内弘章
  大気圧プラズマを用いた薄膜形成技術
  薄膜コーティングセッション「ドライおよびウェットコートによる機能薄膜形成」
  テクニカルフォーラム予稿集 (2009) pp.32-60.
  
  

• 1.垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔
  大気圧プラズマCVD法（フィルムコーティングのための大気圧・超高周波プラズマ技術）
  「新コーティングのすべて」（加工技術研究会編）第2章, 2.2 (1)（加工技術研究会, 東京, 2009) pp.294-298.
  
  
• 2.安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
  シリコン系CVD
  大気圧プラズマ 基礎と応用 （日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会編) (オーム社, 東京, 2009) pp.334-338.
  
  

• H. Kakiuchi, H. Ohmi, and K. Yasutake
  Formation of silicon carbide at low temperatures by chemical transport of silicon induced by atmospheric pressure H2/CH4 plasma
  Thin Solid Films 516 (2008) 6580-6584.
  
  
• K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata and H. Kakiuchi
  High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD
  Thin Solid Films 517 (2008) 242-244.
  
  
• H. Ohmi, K. Kishimoto, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Impacts of noble gas dilution on Si film structure prepared by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport
  J. Phys. D: Appl. Phys. 41 (2008) 195208 (8pp).
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Inudzuka, K. Ouchi and K. Yasutake
  Enhancement of film-forming reactions for microcrystalline Si growth in atmospheric-pressure plasma using porous carbon electrode
  J. Appl. Phys. 104 (2008) 053522-1-8.
  
  
• K. Inagaki, K. Hirose and K. Yasutake
  First-principles analysis of He and H atom incidence onto hydrogen-terminated Si(001) 2 × 1 surface
  Surf. Interface Anal. 40 [6-7] (2008) 1088-1091.
  
  
• Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Masatoshi Aketa, Ryota Nakamura and Kiyoshi Yasutake
  Heteroepitaxial growth of cubic SiC on Si using very-high-frequency plasma at atmospheric pressure
  Surf. Interface Anal. 40 [6-7] (2008) 974-978.
  
  
• Daiki Kamada, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake and Hiromasa Ohmi
  High-rate preparation of thin Si films by atmospheric-pressure plasma enhanced chemical transport
  Surf. Interface Anal. 40 [6-7] (2008) 979-983.
  
  
• Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  In situ B-doped Si epitaxial growth at low temperatures by atmospheric-pressure plasma CVD
  Surf. Interface Anal. 40 [6-7] (2008) 984-987.
  
  
• Kouji Inagaki, Kikuji Hirosea and Kiyoshi Yasutake
  First-principles analysis of He and H atom incidence onto hydrogen-terminated Si(001) 2 × 1 surface
  Surf. Interface Anal. 40 [6-7] (2008) 1088-1091.
  
  
• Tetsuya Ikuta, Shigeru Fujita, Hayato Iwamoto, Shingo Kadomura, Takayoshi Shimur, Heiji Watanabe and Kiyoshi Yasutake
  Selective epitaxial growth of in situ carbon-doped silicon on silicon substrates
  Surf. Interface Anal. 40 [6-7] (2008) 1122-1125.
  
  
• Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe and Kiyoshi Yasutake
  SiO2 Formation by Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si in Atmospheric Pressure Plasma Excited by Very High Frequency Power
  Jpn. J. Appl. Phys. 47 [3] (2008) 1884-1888.
  
  
• Takayoshi SHIMURA, Kohta KAWAMURA, Masahiro ASAKAWA, Heiji WATANABE, Kiyoshi YASUTAKE, and Atsushi OGURA
  Characterization of Strained Si Wafers by Synchrotron X-Ray Topography
  Photon Factory Activity Report 2006 vol.24 (2008) p. 267.
  
  
• T. Ikuta, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe and K. Yasutake
  Investigation of In-situ Boron-Doped Si Selective Epitaxial Growth by Comparison with Arsenic Doping
  Jpn. J. Appl. Phys. 47 [4] (2008) 2452-2455.
  
  
• T. Shimura, K. Kawamura, M. Asakawa, H. Watanabe, K. Yasutake, A. Ogura, K. Fukuda, O. Sakata, S. Kimura, H. Edo, S. Iida and M. Umeno
  Characterization of strained Si wafers by X-ray diffraction techniques
  J. Mater. Sci.: Materials in Electronics (2008).
  
  

Abst. 11th Int. Conf. on Plasma Surface Engineering (PSE 2008), Garmisch-Partenkirchen, Germany, Sept. 15-19, (2008) .

• 1.H. Ohmi, K. Kishimoto, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Simple dry etching method for Si related materials without etching source gases by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport (pp.434)
  
  

第2回プラズマ新領域研究会　，2008年12月19日, （広島大学）

• 1.大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  大気圧プラズプロセスによるSi系薄膜の低温形成 (講演資料集 pp.1-7.)
  
  

薄膜材料デバイス研究会　第5回研究集会「薄膜材料・デバイスの徹底比較」，2008年10月31日, 11月1日,
なら100年会館（奈良）

• 1.尾内健太郎，田渕圭太，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  大気圧プラズマCVDにより高速形成した微結晶Si薄膜の構造および電気特性評価 (予稿集 pp.99-102.)
  
  

2008年度 精密工学会秋季大会学術講演会（東北大学）

• 1.岩本圭司，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (pp.321-322) 大気圧ミストプラズマ滅菌法における枯草菌の不活性化特性
  
• 2.中村 慶，山口賀人，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (pp.323-324) 大気圧VHFプラズマによるシリコンナイトライドの低温・高速成膜
  
• 3.森 哲哉，後藤晃弘，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (pp.325-326) 希ガス希釈大気圧プラズマ化学輸送法による形成Si膜の構造制御
  
  

2008年秋季　第69回応用物理学会学術講演会（中部大学）

• 1.森 哲哉，後藤晃弘，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (4p-ZF-10) 高圧水素プラズマによるガラス基板上GeO2の低温・高速還元
  
• 2.稲垣耕司，広瀬喜久治，安武 潔
  (2p-CD-2 )水素終端Si表面上でのSiエピタキシャル成長初期過程のミクロカノニカル第一原理分子 動力学計算による解析
  
• 3.桐畑　豊，大西崇之，大参宏昌，垣内弘章，安武　潔
  (2p-CH-8 )大気圧プラズマCVD法による低温in situドープSi選択エピタキシャル成長
  
• 4.尾内健太郎，田渕圭太，大参宏昌，垣内弘章，安武　潔
  (5a-ZC-5 )大気圧プラズマCVDによる微結晶Si薄膜の低温・高速形成
  
• 5.鎌田大毅，片山貴勝，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (5a-ZC-7 )大気圧プラズマ化学輸送法における生成成膜分子のFT-IR分析
  
• 6.山口賀人，中村 慶，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (5a-ZC-8 )回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSiO2薄膜の常温・高速形成
  
  

精密工学会 2008年度関西地方定期学術講演会

• 1.山口賀人，中村 慶，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (pp.1-2) 大気圧プラズマCVDによるシリコンナイトライドの低温・高速成膜
  
• 2.尾内健太郎，田渕圭太，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  (pp.3-4) 大気圧プラズマCVD法による微結晶シリコンの低温・高速成膜
  
• 3.森哲哉，後藤晃弘，垣内弘章，安武 潔，大参宏昌
  (pp.5-6)希ガス希釈大気圧プラズマ化学輸送法による形成Si膜の構造制御
  4.稲垣耕司，田代崇，広瀬喜久治，安武潔
  (pp.7-8) 水素終端Si(001)表面上でのSiH3とHの作用によるエピタキシャル成長過程の第一原理分子動力学計算
  
  

日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会 第87回研究会
「高密度媒体中の放電現象 －材料分野への応用の現状と課題－」 (2008年7月1- 2日，ホテル明山荘，蒲郡)

• 1.安武潔，垣内弘章，大参宏昌
  大気圧プラズマCVD法による高品質Si系薄膜の形成
  
  

ゲートスタック研究会 材料, プロセス,評価の物理 第１３回研究会 (2008)

• 1.井上智之，岡本佑樹，小椋厚志，江戸太樹，飯田敏，福田一徳，坂田修身，木村滋，梅野正隆，志村考功，安武潔，渡部平司
  （pp.329-332.）放射光X線回折法を用いた歪みSiウェーハの評価
  
  

2008年春季　第55回応用物理学関係連合講演会（日本大学）

• 1.岩本圭司，垣内弘章，安武　潔，大参宏昌
  （27p-S-7）水ミスト混合大気圧プラズマ滅菌法による枯草菌の不活性化過程
• 2.岸本和也，森　哲哉，大参宏昌，垣内弘章，安武　潔
  27p-Q-1）APECT法により形成した選択epi-Si膜と形成Si膜の特性評価 「講演奨励賞受賞記念講演」
  
  

2008年度　精密工学会春季大会学術講演会（明治大学）

• 1.桐畑 豊，野村 徹，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （pp.913-914）大気圧プラズマCVD法による低温 in situ BドープSiエピタキシャル成長に関する研究
  
• 2.尾内健太郎, 犬塚僚平, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武　潔
  （pp.915-916）大気圧プラズマCVD法による微結晶シリコン薄膜の低温・高速形成
  
  

日本学術振興会アモルファス・ナノ材料第147委員会 第100回研究会半導体（第4）分科会定例研究会
「半導体薄膜プロセスの新展開」(2008年2月28日，千里ライフサイエンスセンター)

• 1.大参宏昌
  大気圧プラズマ化学輸送法を用いたSi選択成長
  
  

• 1.吉本千秋，大参宏昌，志村考功，垣内弘章，渡部平司，安武潔
  Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成
  電子情報通信学会技術研究報告　SDM2008-18, OME 2008-18(2008-4)
  
  
• 2.安武 潔
  太陽電池材料の開発動向
  技術情報協会セミナー（No.810448）「フィルム／封止材・ＥＶＡ樹脂を中心とした太陽電池材料の開発」,2008年10月28日,
  ゆうぽうと（東京）,テキスト(25 pp)
  

• 垣内弘章、大参宏昌、安武 潔
  大気圧ﾌﾟﾗｽﾞﾏCVD
  「フィルムベースエレクトロニクスの最新要素技術（監修　中山弘，中山正昭，小川倉一）」
  第4章 低温成膜およびデバイスプロセス技術 3（シーエムシー出版，東京，2008） pp.166-175.
  
  
• H. Kakiuchi,H. Ohmi,K. Yasutake
  Materials Science Research Trends
  Nova Science Publishers, New York，2008年10月
  

• H. Ohmi, K. Yasutake, Y. Hamaoka and H. Kakiuchi
  Metal induced hydrogen effusion from amorphous silicon
  Appl. Phys. Lett. 91 [24] (2007) 241901-1-3.
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe and K. Yasutake
  Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process
  Appl. Phys. Lett. 91 [16] (2007) 161908-1-3.
  
  
• T. Ikuta, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe and Kiyoshi Yasutake
  Suppression of surface segregation and heavy arsenic doping into silicon during selective epitaxial chemical vapor deposition under atmospheric pressure
  Appl. Phys. Lett. 91 [9] (2007) 092115-1-3.
  
  
• Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Yoshinori Hamaoka and Kiyoshi Yasutake
  Silicon film formation by chemical transport in atmospheric-pressure pure hydrogen plasma
  J. Appl. Phys. 102 [2] (2007) 023302-1-8.
  
  
• H. Watanabe, S. Horie, H. Arimura, N. Kitano, T. Minami, M. Kosuda, T. Simura, and K. Yasutake
  Interface Engineering by PVD-Based In-Situ Fabrication Method for Advanced Metal/High-k Gate Stacks
  ECS Transactions 6 (2007) 71-85.
  
  
• Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Yasutake and H. Watanabe
  Investigationi of local charged defects within high-temperature annealed HfSiOn/SiO2 gate stacks by scanning capacitance spectroscopy
  J. Appl. Phys. 101 [8] (2007) 083704-1-6.
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, and K. Yasutake
  Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O2 plasma
  Appl. Phys. Lett. 90 [15] (2007) 151904-1-3.
  
  
• K. Yasutake, N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe, and Y. Fujiwara
  Photoluminescence Study of Defect-Free Epitaxial Silicon Filmes Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition
  Jpn. J. Appl. Phys. 46 [4B] (2007) 2510 - 2515.
  
  
• T. Ikuta, Y. Minami, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe, and K. Yasutake
  Atmospheric In situ Arsenic-Doped SiGe Selective Epitaxial Growth for Raised-Extension N-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
  Jpn. J. Appl. Phys. 46 [4B] (2007) 1916-1920.
  
  
• H.Watanabe, S. Horie, T.Minami, N. Kitano, M. Kosuda, T. Shimura, and K. Yasutake
  Impact of Physical Vapor Deposition-Based In situ Fabrication Method on Metal/High-k Gate Stacs
  Jpn. J. Appl. Phys. 46 [4B] (2007) 1910 - 1915.
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, and K. Yasutake
  Highly efficient oxidation of silicon at low temperatures using atmospheric pressure plasma
  Appl. Phys. Lett. 90 [9] (2007) 091909-1-3.
  
  
• S. Yoshida, Y. Watanabe, Y. Kita, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara, and K. Yamada
  Interface reactions at TiN/HfSiON gate stacs: Dependence on the electrode structure and deposition method
  Sci. Technol. Adv. Mater. 8 (2007) 219-224.
  
  
• T. Ikuta, Y. Miyanami, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe, and K. Yasutake
  Heavy arsenic doping of silicon grown by atmospheric pressure selective epitaxial cheical vapor deposition
  Sci. Technol. Adv. Marer. 8 (2007) 142-145.
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, and K. Yasutake
  Formation of Silicon Dioxide Layers at Low Temperatures (150 - 400°C) by Atmospheric Pressure Plasma Oxidation of Silicon
  Sci. Technol. Adv. Mater. 8 (2007) 137-141.
  
  
• K. Manabe, T. Hase, T. Tatsumi, H. Watanabe and K. Yasutake
  Mechanism of Suppressed Change in Effective Work Functions for Impurity-Doped Fully Silicided NiSi Electrodes on Hf-Based Gate Dielectrics
  Jpn. J. Appl. Phys. 46 [1] (2007) 91-97.
  
  
• H. Komoda, C. Moritani, K. Takahashi, H. Watanabe and K. Yasutake
  Sample Tilting Technique for Preventing Electrostatic Discharge during High-current FIB Gas-assisted Etching with XeF2
  Microelectronics Reliability 47 [1] (2007) 74-81.
  
  

Ext. Abst. Int. 21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 2007,
(October 15-17, 2007, Icho-Kaikan, Osaka University, Japan).

• 1. D. Kamada, H. Ohmi, K. Kishimoto, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  High Rate Deposition of Si Film at Low Temperature by Atmospheric-Pressure Plasma Enhanced Chemical Transport (pp.103-104)
• 2. Y. Kirihata, T. Nomura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  In situ B doped Si Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD (pp.101-102)
  
• 3. K. Iwamoto, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Sterilization Process of B. atrophaeus Using Atmospheric Pressure Mist Plasma (pp.99-100)
  
• 4. K. Kishimoto, H. Ohmi, T. Mori, D. Kamada, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Selective Growth of Silicon by Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Transport (pp97-98)
  
• 5. R. Inudzuka, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  High-Rate Deposition of Microcrystalline Silicon Films at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor
  Deposition (pp.95-96)
  
• 6. D. Ishimoto, Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Deposition Characteristics of SiNx Films by Atmospheric Pressure Plasma CVD Using Cylindrical Rotary Electrode (pp.93-94)
  
• 7. H. Kakiuchi, H. Ohmi, and K. Yasutake
  3C-SiC Formation by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 Plasma (pp.91-92)
  
• 8. K. Inagaki, S. Kakeya, K. Hirose, and K. Yasutake
  First-principles Analysis of Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atomospheric Pressure Plasma Chemical Vapor
  Deposition - Surface Local Temperature - (pp.69-70)
  
• 9. H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Atmospheric-pressure Plasma Enhanced Chemical Transport as Earth-Conscious Manufacturing Technology (pp.9-10)
  
• 10. H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, and K. Yasutake
  Low-temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure
  (pp.7-8)
  
• 11. T. Ikuta, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe, and K. Yasutake
  Selective Epitaxial Growth of In-situ Carbon-doped Si on Si Substrates (pp.139-140)
  
  

12th Int. Conf. on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors

• 1. T. Shimura, K. Kawamura, M. Asakawa, H. Watanabe, K. Yasutake, A. Ogura, K. Fukuda, O. Sakata, S. Kimura, and M. Umeno
  Characterization of Strained Si Wafers by Synchrotron X-ray Microbeam and Topography
  
  

Ext. Abst. 2007 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Tsukuba.

• 1. K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, K. Yasutake nad H. Watanabe
  Characterization of Pure Ge3N4 Dielectric Layers Formed by High-Density Plasma Nitridation (pp.1034-1035)
  
• 2. T. Ikuta, Y. Miyanami, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe and K. Yasutake
  In-situ Doped Si Selective Epitaxial Growth for Raised Source/Drain Extension CMOSFET (pp.368-369)
  
  

Abst, 2007 MRS Spring Meeting, San Fransisco.

• 1. Y. Kita, S. Yoshida, T. Shimura, K. Yasutake, H. Watanabe, K. Shiraishi, Y. Nara, and K. Yamada
  Systematic Study on Effective Work Function Instability of Metal/High-k Gate Stacks. (p.153)
  
• 2. M. Harada, Y. Watanabe, S. Okda, T. Shimura, K. Yasutake, and H. Watanabe
  Investigation of 4H-SiC MIS Devices with AlON/SiO2 Layered Structures. (p.163)
  
  

Ext. Abst. 2007 IMFEDK International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai.

• 1. Y. Watanabe, M. Harada, S. Okada, T. Shimura, K. Yasutake, and H. Watanabe
  Electric properties of 4H-SiC MIS devices with AlON/SiO2 stacked gate dielectrics (pp.83-84)
  
  

Abst. 211th ECS Meeting, Chicago.

• 1. <Invited> H. Watanabe, S. Horie, H. Arimura, N. Kitano, T. Minami, M. Kosuda, T. Simura, and K. YasutakeInterface Engineering by PVD-Based In-Situ Fabrication Method for Advanced Metal/High-k Gate Stacks (p. 655)
  
  

Digest of Technical Papers of the 14th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, 11-13 July 2007, Hyogo, Japan.

• 1.<Invited> H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, and K. Yasutake
  Low-Temperature Oxidation Process of Silicon Using Atmospheric Pressure Plasma (pp. 223-226)
  
  

Proc. of the 20th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-20), 21-22 June 2007, Nagoya, Japan.

• 1. H. Kakiuchi, H. Ohmi, and K. Yasutake
  Formation of Silicon Carbide at Low Temperatures by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 Plasma (p.45)
  
• 2. K. Kishimoto, D. Kamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Structure Control of Si Films Prepared by Atmospheric-Pressure Plasma Enhanced Chemical Transport (p.7)
  
  

Abstracts 5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5) May 20-25, 2007, Marseille.

• 1. Y. Kirihata, N. Tawara, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe and K. Yasutake
  Characterization of epitaxial Si films grown at low-temperatures by atmospheric pressure plasma CVD (pp. 271 - 272)
  
• 2. K. Yasutake, H. Ohmi, Y. Kirihata, H. Kakiuchi
  High-quality epitaxial Si growth at low temperatures by atmospheric pressure plasma CVD (pp. 234 - 235)
  
  

第18回日本MRS学術シンポジウム（日本大学）
Abst. 18th MRS-J Academic Symp. -Advanced materials researches breakthrough to innovations-
Dec. 7 -9, 2007, Nihon Univ.

• 1.<Invited> K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi
  Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO2 Thin Films at Low-Temperatures (p.196)
  
  

生産技術特別セミナー　－材料，加工，計測，システム各分野の最新技術動向－
Aコース［材料分野］太陽電池用材料開発と太陽光発電技術の最新動向，平成19年11月20日

• 1.安武 潔
  太陽電池材料の開発動向
  
  

薄膜材料デバイス研究会　4回研究集会予稿集　「明日の電子デバイスを支える薄膜新材料」，
2007年11月2-3日，龍谷大学.

• 1.石本大輔，山口賀人，中村慶，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  大気圧プラズマCVDにより高速形成したSiNx薄膜の構造評価 (pp.176-179)
  
  

2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会（北海道工業大学）

• 1. 石本大輔，中村慶，山口賀人，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  （8a-ZM-1）回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSiNxの成膜特性
  
• 2. 吉本千秋，南 綱介，大参宏昌，志村考功，垣内弘章，渡部平司，安武 潔
  （6a-P10-26）Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(II)
  
• 3. 岸本和也，森 哲哉，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （8a-ZV-6）大気圧プラズマ化学輸送法を用いたSi選択成長
  
  

2007年度　精密工学会秋季大会学術講演会（旭川市）

• 1. 桐畑 豊，野村 徹，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （pp.219-220）大気圧プラズマCVD法で低温成長したエピタキシャルSi薄膜の電気特性評価
  
• 2. 岩本圭司，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  （pp.247-248）大気圧ミストプラズマを用いた枯草菌の不活性化
  
  

精密工学会 2007年度関西地方定期学術講演会

• 1. 岩本圭司，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  （pp.3-4）大気圧ミストプラズマを用いた枯草菌の不活性化
  2. 鎌田大毅，岸本和也，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  （pp.7-8）大気圧プラズマ化学輸送法によるSi薄膜の形成
  
• 3. 桐畑 豊，野村 徹，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  （pp.9-10）大気圧プラズマCVDによる高品質エピタキシャルSiの低温成長
  
• 4. 稲垣耕司，掛谷悟史，広瀬喜久治，安武潔
• （pp.11-12）大気圧プラズマCVDにおけるシリコンエピタクシャル成長低温化の第一原理シミュレーションによる解明 ─表面へのガス原子の作用─
  
  

ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理　第１２回研究会講演予稿集 (2007)

• 1. 志村考功, 清水教弘, 堀内慎一郎, 渡部平司, 安武 潔, 梅野正隆
  （pp.143-147）SiGe/SOI構造の酸化濃縮過程における自己停止現象とその解析
  
• 2. 喜多祐起, 吉田慎一, 安藤崇志, 田井香織, 岩元勇人, 志村考功, 渡部平司, 安武 潔
  （pp.283-287）次世代nMOSFET用HfSix/HfO2/Siゲートスタックの界面反応メカニズム
  
  

2007年春季　第54回応用物理学関係連合講演会（青学大）

• 1. 荻山宜樹，岩本圭司，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  （29a-A-26）大気圧ミストプラズマを用いた滅菌法の開発
  
• 2.岸本和也，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  （27a-H-5）大気圧プラズマ化学輸送法による固体原料を用いたドライエッチング法の開発(I)
  
• 3. 喜多祐起，吉田慎一，志村考功，安武 潔，渡部平司，白石賢二，大田晃生，宮崎誠一，奈良安雄，山田啓作
  （28p-ZH-12）Hf系ゲート絶縁膜/電極界面の実効仕事関数変調機構の統一的理解
  
• 4. 朽木克博，岡本 学，志村考功，安武 潔，渡部平司
  （30a-ZH-7）プラズマ窒化によるゲルマニウム窒化膜の形成とその安定性評価
  
• 5. 桐畑豊，田原直剛，大参宏昌，垣内弘章，渡部平司，安武潔
  （29a-SM-14）大気圧プラズマCVD法による高品質Siエピタキシャル膜の低温成長
  
• 6. 志村考功，川村浩太，浅川正大，渡部平司，安武 潔，小椋厚志，福田一徳，坂田修身，木村 滋
  （27a-N-11）放射光X線マイクロビームとトポグラフィによる歪みSiウェーハの評価
  
• 7. 中村亮太，明田正俊，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  （27a-ZC-3）大気圧プラズマ炭化による3C-SiCの低温形成
  
• 8. 渡邊 優，原田 真，志村考功，安武 潔，渡部平司
  （29a-N-5）SiO2/SiC界面特性の酸化膜厚依存性とその改善法の検討
  
• 9. 鎌田大毅，岸本和也，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  （27p-M-8）大気圧プラズマ化学輸送法を用いたSi成膜における希ガス希釈の影響
  
• 10. 犬塚僚平，桑原康人，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔
  （27p-M-9）大気圧プラズマCVDによる微結晶Si薄膜の高速形成および評価
  
  

• 安武潔，大参宏昌，垣内弘章
  大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長
  応用物理 75 [9] (2007) 1031-1036.
  
  
• 朽木克博,　岡本学，細井卓治，志村 考功，安武潔，渡部平司
  ゲルマニウム窒化膜の形成と評価
  電子情報通信学会技術研究報告 17 (2007) 97-100.
  
  

• K. Manabe, T. Hase, T. Tatsumi, H. Watanabe and K. Yasutake
  Mechanism for Fermi Level Pinning at Electrode/Hf-Based Dielectric Interface: Systematic Study of Dependence of Effective Work Functions for Polycrystalline Silicon and Fully Silicided NiSi Electrodes on Hf Density at Interface
  Jpn. J. Appl. Phys. 45 [12] (2006) 9053-9057.
  
  
• M. Shimizu, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Lifetime measurement of metastable fluorine atoms using electron cyclotron resonance plasma source
  J. Vac. Sci. Technol. A24 [6] (2006) 2133-2138.
  
  
• K. Yasutake, H. Watanabe, H. Ohmi and H. Kakiuchi
  Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates
  ECS Transactions 3 [8] (2006) 215-225.
  
  
• T. Shimura, M. Shimizu, S. Horiuchi, H. Watanabe and K. Yasutake
  Oxidation Saturation of SiGe Alloy on Silicon-on-Insulator Wafers
  ECS Transactions 3 [7] (2006) 1033.
  
  
• Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kenichi Nishijima, Heiji Watanabe, and Kiyoshi Yasutake
  Low-Ttemperature Crystallization of Amorphous Silicon by Atmospheric-Pressure Plasma Treatment in H2/He or H2/Ar Mixture
  Jpn. J. Appl. Phys. 45 [10B] (2006) 8488-8493.
  
  
• H. Ohmi, H. Kakiuchi, N. Tawara, T. Wakamiya, T. Shimura, H. Watanabe and K. Yasutake
  Low-Temperature Growth of Epitaxial Si Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Porous Carbon Electrode
  Jpn. J. Appl. Phys. 45 [10B] (2006) 8424-8429
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Nakamura, M. Aketa and K. Yasutake
  Structural Characterization of Polycrystalline 3C-SiC Films Prepared at High Rates by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Monomethylsilane
  Jpn. J. Appl. Phys. 45 [10B] (2006) 8381-8387.
  
  
• Kazunori Fukuda, Takayoshi Yoshida, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake, Masataka Umeno, and Satoshi Iida
  White X-ray Topography of Lattice Undulation in Bonded Silicon-on-Insulator Wafers
  Jpn. J. Appl. Phys. 45 [9A] (2006) 6795-6799.
  
  
• Takayoshi Shimura, Michihiro Shimizu, Shinichiro Horiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, and Masataka Umeno
  Self-limiting oxidation of SiGe alloy on silicon-on-insulator wafers
  Appl. Phys. Lett. 89 [11] (2006) 111926-1-3.
  
  
• Kenzo Manabe, Kensuke Takahashi, Takashi Hase, Nobuyuki Ikarashi, Makiko Oshida, Toru Tatsumi, Hirohito Watanabe, Heiji Watanabe and Kiyoshi Yasutake
  Analysis of Origin of Threshold Voltage Change Induced by Impurity in Fully Silicided NiSi/SiO2 Gate Stacks
  Jpn. J. Appl. Phys. 45 [4B] (2006) 2919-2924.
  
  
• Heiji Watanabe, Shiniti Yoshida, Yasumasa Watanabe, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake, Yasushi Akasaka, Yasuo Nara, Kunio Nakamura and Keisaku Yamada
  Thermal Degradation of HfSiON Dielectrics Caused by TiN Gate Electrodes and Its Impact on Electrical Properties
  Jpn. J. Appl. Phys. 45 [4B] (2006) 2919-2924.
  
  
• Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Yasuji Nakahama, Yusuke Ebata, Kumayasu Yoshii and Yuzo Mori
  Influence of H2/SiH4 Ratio on the Deposition Rate and Morphology of Polycrysta lline Silicon Films Deposited by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition
  Jpn. J. Appl. Phys. 45 [4B] (2006) 3581-3586.
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Kuwahara, M. Matsumoto, Y. Ebata, K. Yasutake, K. Yoshii and Y. Mori
  High-Rate Deposition of Intrinsic Amorphous Silicon Layers for Solar Cells Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure
  Jpn. J. Appl. Phys. 45 [4B] (2006) 3587-3591.
  
  
• K. Yasutake, H. Ohmi, H. Kakiuchi, T. Wakamiya and H. Watanabe
  Characterization of Epitaxial Si Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Cylindrical Rotary Electrode
  Jpn. J. Appl. Phys. 45 [4B] (2006) 3592-3597.
  
  
• H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Aketa, K. Yasutake, K. Yoshii and Y. Mori
  Effect of hydrogen on the structure of high-rate deposited SiC on Si by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition using high-power-density condition
  Thin Solid Films 496 (2006) 259-265.
  
  
• K. Arima, T. Shigetoshi, H. Kakiuchi, and M. Morita
  Surface photovoltage measurements of intrinsic hydrogenated amorphous Si films on Si wafers on the nanometer scale
  Physica B 376-377 (2006) 893-896.
  
  
• H. Komoda, M. Yoshida, Y. Yamamoto, K. Iwasaki, I. Nakatani, H. Watanabe and K. Yasutake
  Novel Charge Neutralization Techniques Applicable to Wide Current Range of FIB Processing in FIB-EB Combined System
  Microelectronics Reliability 46 [12] (2006) 2085-2095
  
  

Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, 2006, San Francisco, CA

• 1. Heiji Watanabe, Shigenari Okada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake
  Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) using Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma
  
  

Extended Abstracts of 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices-Science and Technology.

• 1. Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, H. Watanabe, K. Yasutake
  Dopant Concentration Influence on Scanning Capacitance Microscopy Imaging in Ultrathin SiO2 Films (pp.21-22)
  
• 2. Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Kohta Kawamura, Heiji Watanabe, and Kiyoshi Yasutake
  Structural Change of the Interfacial SiO2 Layer between HfO2 Layers and Si Substrates
  
  

Extended Abstract of International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2006).

• 1. Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Heiji Watanabe, and Kiyoshi Yasutake
  Application of Synchrotron X-ray Diffraction Methods to Thin Film Materials used in Semiconductor Devices (pp.25-26)
  
  

Abstractbook of the 8th Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (8th APCPST), Cairns, Australia, 2006.

• 1. Yasushi Oshikane, Hiroaki Kakiuchi, Kazuya Yamamura, Kiyoshi Yasutake, Takafumi Karasawa, Colin M. Western, Akinori Oda, Katsuyoshi Endo
  Rotational and vibrational temperature of Fulcher-alpha band emitted by hydrogen molecules in capacitive VHF CVD plasma process at atmosphere (p269)
  
• 2. H. Ohmi, H. Kakiuchi, Y. Nakahama, Y. Ebata, K. Yasutake, K. Yoshii, and Y. Mori
  Influences of substrate and its temperature on the structure of polycrystalline Si films deposited by atmospheric pressure plasma chemical vapor
  deposition (p.214)
  
• 3. H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Nakahama and K. Yasutake
  Influence of Gas Composition on the Structure of Silicon Nitride Films Prepared at High Rates by Atmospheric Pressure Plasma CVD (p.52)
  
  

Europhysics Conference Abstract of 18thEurophysics Conference on the Atomic and Molecular Physics of Ionised Gases (18th ESCAMPIG), Lecce, Italy, 2006.

• 1. Yasushi Oshikane, Kazuya Yamamura, Koji Ueno, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Takafumi Karasawa, Colin M. Western, Akinori Oda, Akihiko Nagao, Katsuyoshi Endo
  N2 C3Pu-B3Pg band spectroscopy in open-air type CVM plasma with He/CF4/O2 and H2 Fulcher-a band spectroscopy in atmospheric He/H2/SiH4 CVD plasma (pp.395-396)
  
  

Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006.

• 1. Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, H. Watanabe and K. Yasutake
  Spatial Fluctuation of Electrical Properties in Hf-Silicate Film Observed with Scanning Capacitance Microscopy (pp.392-393)
  
• 2. S. Horie, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, H. Watanabe and K. Yasutake
  Impact of PVD-based In-situ Fabrication Method for Metal/High-k Gate Stacks (pp.414-415)
• 3. N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara and K. YasutakeCharacterization of Epitaxial Silicon Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures(450-600℃) (pp.1094-1095)
  
  

Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, Osaka, Japan, 2006.

• 1. S. Horiuchi, M. Shimizu, T. Shimura, H. Watanabe and K. Yasutake
  Oxidation Rate Diminishment of SiGe Epitaxial Films on Silicon-on-insulator Wafers (pp.155-156)
  
• 2. Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, H. Watanabe and K. Yasutake
  The Origin of Long-range Contrast in Hf-silicate Films Observed by Scanning Capacitance Microscopy (pp.153-154)
  
• 3. K. Manabe, T. Hase, T. Tatsumi, H. Watanabe and K. Yasutake
  Systematic Study on Effective Work Functions for Poly-Si and Fully Silicided NiSi Electrodes on Hf-based Gate Dielectrics (pp.151-152)
  
• 4. S. Yoshida, Y. Watanabe, Y. Kita, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara and K. Yamada
  Interface Reactions at TiN/HfSiON Gate Stacks Depending on the Electrode Structure and Deposition Method (pp.147-148)
  
• 5. Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Kohta Kawamura, Heiji Watanabe, and Kiyoshi Yasutake
  Structural Change of the Thermal Oxide Layer on Si Substrates by Diffusion of Atomic Oxygen (pp.57-58)
  
• 6. M. Harada, H. Kakiuchi, H. Ohmi, H. Watanabe and K. Yasutake
  High Rate Oxidation of Si Surfaces by using Atmospheric Pressure Plasma (pp.77-78)
  
• 7. M. Harada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe and K. Yasutake
  Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma Treatment of 4H-SiC(0001) Surfaces Using Porous Carbon Electrode (pp.75-76)
  
• 8. Kazuya Kishimoto, Daiki Kamada, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake
  Fabrication of Si1-xGex and SiC films by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport (pp.73-74)
  
• 9. R. Nakamura, H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Aketa, K. Yasutake, K. Yoshii and Y. Mori
  Deposition Characteristics of Polycrystalline Silicon Carbide Films Prepared at High-rates by Atmospheric Pressure Plasma CVD (pp.71-72)
  
• 10. N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara and K. Yasutake
  Characterization of Epitaxial Si Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition (pp.69-70)
  
• 11. K. Minami, C. Yoshimoto, H. Ohmi, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe and K. Yasutake
  Fabrication of Polycrystalline Silicon Thin Films on Glass Substrates Using Ge Naono-islands as Nuclei (pp.65-66)
  
• 12.Y. Oshikane, H. Kakiuchi, K. Yamamura, C. M. Western, K. Yasutake, K. Endo
  Ro-vibronic Structure in the Q-branch in the Spectra of Hydrogen Fulcher-a Band Emission in the Atmospheric Pressure Plasma CVD Process Driven at 150 MHz (pp.49-50)
  
• 13. Hiromasa Ohmi,Yoshinori Hamaoka, Yoshiki Ogiyama, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
  Development of atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport toward Eco-friendly manufacturing (pp.9-10)
  
• 14. H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Kuwahara, R. Inuzuka and K. Yasutake
  High-Rate Deposition of Microcrystalline Silicon Films at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition (pp.7-8)
  
  

Meeting of 210th Meeting of The Electrochemical Society and XXI Congreso de la Sociedad Mexicana de Electroquimica, Oct. 29-Nov. 3, 2006. Cancun, Mexico, (2006) #1575.

• 1.<Invited> K. Yasutake, H. Watanabe, H. Ohmi and H. Kakiuchi
  Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates (#1575)
  
  

Proc. of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 4-8 September 2006, Dresden, Germany.

• 1. H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Kuwahara, R. Inuzuka and K. Yasutake
  High-Rate Deposition and Characterization of Microcrystalline Silicon Films Prepared by Atmospheric Pressure Plasma CVD (pp.1582-1586)
  
• 2. H. Ohmi, K. Kishimoto, Y. Hamaoka, Y. Ogiyama, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Preparation of Poly-Si Films by Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Transport
  
  

Proc. 28th Int. Symp. on Dry Process (DPS 2006), 29-30 November 2006, Nagoya, Japan.

• 1. Yoshiki Ogiyama, Hiromasa Ohmi, Keiji Iwamoto, Hiroaki Kakiuchi, and Kiyoshi Yasutake
  Atmospheric pressure plasma sterilization with water micro-mist (pp. 175-176)
• 2. H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Nakamura, M. Aketa, and K. Yasutake
  Characterization of Silicon Carbide Layers Formed by Atmospheric Pressure Plasma Carbonization of Silicon (pp. 33-34)
  
  

Abstracts of 37th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 3-3.

• 1. S. Yoshida, Y. Kita, T. Ando, K. Tai, H. Iwamoto, T. Shimura, H. Watanabe and K. Yasutake
  Physical and Electrical Characterization of HfSix/HfO2 Gate Stacks for High-Performance nMOSFET Application
  
  

Abst. Int. Symp. on Surface Science and Nanotechnology.

• 1. Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Nakamura, H. Watanabe and K. Yasutake
  Mapping of the local dielectric properties of Hf-based high-k films by scanning capacitance microscopy (p.133)
  
  

Proceedings of the 6th International Conference on Reactive Plasmas and 23rd Symposium on Plasma Processing, Matsushima/Sendai, Japan, 2006.

• 1. Y. Oshikane, K. Yamamura, H. Kakiuchi, A. Oda, C. Western, A. Nagao, K. Endo
  Spectroscopic Study of Rotational Structures in Electronic Band Spectra Emitted by Diatomic Molecules in Capacitively Coupled Atmospheric CVM and CVD Plasmas Driven at 150 MHz (pp. 743-744)
  
• 2. Y. Oshikane, K. Yamamura, H. Kakiuchi, A. Oda, C. Western, A. Nagao, K. Endo
  Low-Temperature Growth of Epitaxial Silicon Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition (pp. 625-626)
  
• 3. H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe and K. Yasutake
  Characterization of high-pressure (200-760 Torr), stable glow plasma of pure hydrogen by measuring etching properties of Si and optical emission spectroscopy (pp. 301-302)
  
• 4. H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Nakamura, M. Aketa, K. Yasutake, K. Yoshii and Y. Mori
  Deposition Characteristics of Polycrystalline Silicon Carbide Films Prepared at High-Rates by Atmospheric Pressure Plasma CVD (pp. 111-112)
  
• 5. H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe and K. Yasutake
  Low-Temperature Crystallization of Amorphous Silicon by Atmospheric Pressure Plasma Treatment in H2/He or H2/Ar Mixtures (pp. 67-68)
  
  

2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会（武蔵工大）

• 1. 押鐘寧，垣内弘章，安武潔，柄澤隆文，長尾明彦，山村和也，遠藤勝義
  （24a-ZC-4）大気圧プラズマCVDにおける水素分子のFulcherバンドを用いたガス温度評価
  
• 2. 三島永嗣，川村浩太，志村考功，渡部平司，安武潔
  （25a-V-4）X線CTR散乱を用いたHigh-k/Si界面酸化に関する研究
  
• 3. 堀江伸哉，南卓士，北野尚武，小須田求，遠藤勝義，渡部平司，安武潔
  （26a-V-9）真空一貫PVD成膜によるMetal/High-kゲートスタックの作製と評価
  
• 4. 清水教弘，堀内慎一郎，志村考功，渡部平司，安武潔
  （23a-ZD-7）SiGe/SOI構造の酸化濃縮過程における反応飽和機構
  
• 5. 岡田茂業，中村亮太，大参宏昌，垣内弘章，渡部平司，安武潔
  （23p-ZQ-9）多孔質カーボン電極を用いたSiC表面の大気圧水素プラズマ処理
  
• 6. 岡田茂業，吉田大介，志村考功，渡部平司，安武潔
  （23p-ZQ-10）AlON/SiO2積層構造をゲート絶縁膜に用いた4H-SiCMOSキャパシタの作製と評価
  
• 7. 若宮拓也，田原直剛，濱田亮，柄沢隆文，志村考功，大参宏昌，垣内弘章，渡部平司，安武潔
  （22a-P-10）大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長
  
• 8. 大参宏昌，濱岡儀徳，荻山宜樹，垣内弘章，安武潔
  （22a-P-12）大気圧プラズマ化学輸送法によるIV族半導体薄膜の作製（I）
  
• 9. 濱岡儀徳，岸本和也，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （22a-P-13）大気圧プラズマ化学輸送法によるIV族半導体薄膜の作製（II）
  
  

2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会（立命館大）

• 1. 押鐘寧，上野浩司，山村和也，垣内弘章，Colin Western，小田昭紀，門信一郎，安武潔，遠藤勝義
  (30a-Q-5）大気開放型・容量結合CVMプラズマの時空間構造の分光診断
  
• 2. 吉田慎一，喜多祐起，安藤崇志，田井香織，岩元勇人，志村考功，渡部平司，安武潔
  (30a-P5-10）HfSi/HfO2ゲートスタックにおけるHfO2膜厚とHfSi組成が界面反応と電気特性に及ぼす影響
  
• 3. 内藤裕一，安藤淳，小木曽久人，神山聡，奈良安雄，渡部平司，安武潔
  （30a-P5-13）走査型容量顕微鏡によるHf-silicate膜の誘電特性の面内分布評価
  
• 4. 堀江伸哉，南卓士，北野尚武，小須田求，白石賢二，渡部平司，安武潔
  （31a-P10-8）真空一貫PVD成膜によるMetal/High-kゲートスタックの作製と評価-C汚染低減による特性改善効果-
  
• 5. 南綱介，吉本千秋，大参宏昌，志村考功，垣内弘章，渡部平司，安武潔
  （29p-ZQ-6）Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成
  
• 6. 桑原康人，犬塚僚平，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （29a-X-5）大気圧プラズマCVDによる微結晶Si薄膜の高速形成
  
• 7. 田原直剛，大参宏昌，寺井慶和，垣内弘章，渡部平司，藤原康文，安武潔
  （29a-X-8）大気圧プラズマCVD法によって低温成長したSiエピタキシャル膜の評価
  
• 8. 渡部平司，志村考功，安武潔
  （30p-ZW-3）High-k絶縁膜界面の増速酸化反応
  
  

2006年度　精密工学会春季大会学術講演会（東京理科大学）

• 1. 押鐘寧, 垣内弘章, 山村和也, 長尾明彦, 遠藤勝義, 小田昭紀
  (pp.431-432)大気圧・高周波プラズマプロセスにおけるプラズマ雰囲気のガス温度計測 －水素分子の回転温度に対するヘリウムおよびアルゴンの影響について
  
• 2. 間部謙三, 高橋健介, 長谷卓, 五十嵐信行, 五十嵐多恵子, 忍田真希子, 渡部平司, 安武潔, 辰己徹
  (pp.635-636）HfSiON及びSiO2 ゲート絶縁膜上のNi フルシリサイドメタルゲート電極（キーノートスピーチ）
  
• 3. 川村浩太, 三島永嗣, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作
  （pp.637-638）X線反射率測定によるTiN/HfSiON界面の熱安定性の評価
  
• 4. 小山晋, 南綱介, 大参宏昌, 志村考功, 渡部平司, 安武潔
  （pp.639-640）Ge微結晶核付SiO2基板上の多結晶Si薄膜形成に関する研究
  
  

2006年度　精密工学会秋季大会学術講演会（宇都宮大学）

• 1. 垣内弘章, 大参宏昌, 犬塚僚平, 桑原康人, 安武潔
  （pp.641-642）大気圧プラズマCVDにより高速形成した微結晶Si薄膜の特性評価

精密工学会 2006年度関西地方定期学術講演会（和歌山大学）

• 1. 石本大輔，木上憲吾，垣内弘章，大参宏昌，安武潔
  （pp.93-94）大気圧プラズマCVDによるダイヤモンドの形成とその評価
  
• 2. 原田真，垣内弘章，大参宏昌，渡部平司，安武潔
  （pp.95-96）Siの大気圧プラズマ酸化によるSiO2の高速形成に関する研究
  
• 3. 喜多祐起，吉田慎一，渡辺康匡，志村考功，渡部平司，安武潔
  （pp.97-98）メタル電極とHfSiON絶縁膜海面反応の評価
  
  

ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（2006）

• 1. 志村考功、三島永嗣、渡部平司、安武潔、梅野正隆、辰村光介、渡邉孝信、大泊巌
  （pp.13-18）Si熱酸化膜中の残留秩序構造と絶縁膜／Si界面反応研究への応用
  2. 内藤裕一、安藤敦、小木曽久人、神山聡、奈良安雄、中村邦雄、渡部平司、安武潔
  （pp.73-77）走査型容量顕微鏡によるHf系ゲート絶縁膜の誘電特性の空間分布
  
• 3. 間部謙三、長谷卓、五十嵐信行、忍田真希子、辰巳徹、渡部平司、安武潔、渡辺啓仁
  （pp.139-144）NiSiフルシリサイド/SiO2ゲートスタックにおける不純物によるしきい値変化メカニズム
  
• 4. 吉田慎一、渡辺康匡、喜多祐起、志村考功、渡部平司、安武潔、赤坂泰志、奈良安雄、白石賢二、山田啓作
  （pp.257-251）メタル電極形成条件がMetal/HfSiON界面反応と電気特性に及ぼす影響
  
  

薄膜材料デバイス研究会　第3回研究集会「薄膜デバイスの新展開」(2006)

• 1. 原田真、垣内弘章、大参宏昌、渡部平司、安武潔
  （pp.149-150）大気圧プラズマによるSi表面の高速酸化
  
  

• 1. 安武潔
  多結晶Siデバイスにおける粒界と電気的特性
  機械の研究 58 [6] (2006) 640-650.
  
  
• 2. 垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔
  大気圧プラズマによる低温・高速CVD技術
  応用電子物性分科会研究例会資料 12 [2] (2006) 72-76.
  
  
• 3. 垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔
  大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速・低温形成技術
  MATERIAL STAGE 5 [12] (2006) 14-20.

• 安武潔,垣内弘章,大参宏昌
  「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 第2章 第7節 大気圧プラズマCVDによる無機物膜堆積
  サイエンス＆テクノロジー(2006) pp.135-151
  

• Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Nakamura, H. Watanabe and K. Yasutake
  Spatial fluctuation of dielectric properties in Hf-based high-k gate films studied by scanning capacitance microscopy
  Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 252908-1-3
  
  
• 大参宏昌，垣内弘章，中濱康治，江畑祐介，安武潔，芳井熊安，森勇藏
  大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH4濃度の影響
  精密工学会誌 71 [11] (2005) 1393-1398.
  
  
• Hirotaka Komoda, Ikuko Nakatani, Heiji Watanabe and Kiyoshi Yasutake
  Antistatic Technique for Suppressing Charging in Focused Ion Beam Systems Using Microprobing and Ion-Beam-Assisted Deposition
  Jpn. J. Appl. Phys. 44 [11] (2005) 7907-7909.
  
  
• Heiji Watanabe, Satoshi Kamiyama, Naoto Umezawa, Kenji Shiraishi, Shiniti Yoshida, Yasumasa Watanabe, Tsunetoshi Arikado, Toyohiro
  Chikow, Keisaku Yamada, and Kiyoshi Yasutake
  Role of Nitrogen Incorporation into Hf-based High-k Gate Dielectrics for Termination of Local Current Leakage Paths
  Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L1333-L1336.
  
  
• H. Kakiuchi, Y. Nakahama, H. Ohmi, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori
  Investigation of deposition characteristics and properties of high-rate deposited silicon nitride films prepared by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition
  Thin Solid Films 479 [1-2] (2005) 17-23.
  
  
• Yuzu Mori, Kazuya Yamamura, Katsuyoshi Endo, Kazuto Yamauchi, Kiyoshi Yasutake, Hidekazu Goto, Hiroaki Kakiuchi, Yasuhisa Sano, Hidekazu Mimura
  Creation of Perfect Surfaces
  J. Cryst. Growth 275 (2005) 39-50.
  
  
• H. Komoda, M. Yoshida, Y. Yamamoto, K. Iwasaki, H. Watanabe, and K. Yasutake
  Charge Neutralization Using Focused 500eV Electron Beam in Focused Ion Beam System
  Jpn. J. Appl. Phys. 44 [17] (2005) L515-517.
  
  
• H. Kakiuchi, M. Matsumoto, Y. Ebata, H. Ohmi, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori
  Characterization of intrinsic amorphous silicon layers for solar cells prepared at extremely high rates by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition
  J. Non-Crystalline Solids 351 [8-9] (2005) 741-747.
  
  
• Takayoshi Shimura, Kazunori Fukuda, Kiyoshi Yasutake, Takuji Hosoi, and Masataka UmenoComparison of Ordered Structure in Buried Oxide Layers in High-dose, Low-dose, and Internal-thermal-oxidation Separation-by-implanted-oxygen Wafers
  Thin Solid Films 476 (2005) 125-129.
  
  
• Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake, Masataka Umeno, and Masao Nagase
  X-ray Diffraction Measurements of Internal Strain in Si Nanowires Fabricated using a Self-limiting Oxidation
  Appl. Phys. Lett. 86 [7] (2005) 071903-1-3.
  
  
• K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yoshii, and Y. Mori
  Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500 - 800°C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition
  Appl. Phys. A 81 [6] (2005) 1139-1144.
  
  

Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials,Kobe, 2005.

• 1. Y. Hamaoka, H.Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake
  Study of Effects of Metal layer on hydrogen desorption from hydrogenated amorphous silicon using temperature programmed desorption
  (pp.760 - 761)
• 2. Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Yasuhito Kuwahara, Mitsuhiro Matsumoto, Yusuke Ebata, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii and Yuzo Mori
  High-Rate Deposition of Intrinsic Amorphous Silicon Layers for Solar Cells using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure
  (pp.758 - 759)
• 3. Takuya Wakamiya, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii, and Yuso Mori
  High-Rate Growth of Defect-Free Epitaxial Si at Low Temperatures by Atmoshperis Pressure Plasma CVD (pp.756 - 757)
• 4. H.Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake, Y. Nakahama, Y. Ebata, K. Yoshii and Y.Mori
  Influence of H2/SiH4 ratio on the deposition rate and morphology of polycrystalline silicon films deposited by atmospheric pressure plasma CVD
  (pp.372 - 373)
  
• 5.Heiji Watanabe, Shiniti Yoshida, Yasumasa Watanabe, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake, Yasushi Akasaka, Yasuo Nara, Kunio Nakamura, and Keisaku Yamada
  Thermal Degradation of HfSiON Dielectrics Caused by TiN Gate Electrodes and Its Impact on Electrical Properties (pp.244 - 245)
  
  

Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 5

• 1. Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, Masataka Umeno, Kousuke Tatsumura, Takanobu Watanabe, Iwao Ohdomari, Keisaku Yamada, Satoshi Kamiyama, Yasushi Akasaka, Yasuo Nara, and Kunio Nakamura
  Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates
  
  

nternational Symposium on Surface Science and Nanotechnology.

• 1. Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Nakamura, H. Watanabe and K. Yasutake
  Mapping of the local dielectric properties of Hf-based high-k films by scanning capacitance microscopy (p.133)
  
  

The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors
(July 24-29, 2005, Awaji Island, Hyogo, Japan).

• 1. K. Arima, T. Shigetoshi, H. Kakiuchi and M. Morita
  Surface photovoltage measurement of amorphous Si films on Si wafer by STM/STS (p.379)
  
  

Abstracts of 36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, 2005, Arlington, VA.

• 1. H. Watanabe, S. Yoshida, Y. Watanabe, E. Mishima, K. Kawamura, Y. Kita, T. Shimura, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara, K. Shiraishi and
  K. Yamada
  Effects of Intrinsic and Extrinsic Reactions at Metal/High-k Interfaces on Electrical Properties of Gate Stacks
  
  

2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会（埼玉大）

• 1. 三島永嗣，川村浩太，志村考功，渡部平司，安武潔，神山聡，赤坂泰志，奈良安雄，中村邦雄，山田啓作
  （30p-ZB-14）X線CTR散乱によるHfSiOx/SiO2/Si構造の界面残留秩序の測定
  
• 2. 吉田慎一，渡辺康匡，志村考功，渡部平司，安武潔，赤坂泰志，奈良安雄，中村邦雄，山田啓作
  （30p-ZB-17）TiN/HfSiON界面反応がHigh-k膜の結晶化温度と電気特性に及ぼす影響
  
• 3. 渡辺康匡，吉田慎一，志村考功，渡部平司，安武潔，神山聡，有門経敏，白石賢二，梅澤直人，知京豊裕，山田啓作
  （31a-ZB-6）Hf-Silicate膜の局所絶縁劣化現象のC-AFM観察―窒化による信頼性向上機構の検討―
  
• 4. 小山晋，中嶋大貴，南綱介，大参宏昌，渡部平司，安武潔
  （30a-R-1）Ge微結晶核を用いた大粒径多結晶Si薄膜作製のための基板表面制御
  
• 5. 若宮拓也，山本憲，田原直剛，大参宏昌，垣内弘章，渡部平司，安武潔，芳井熊安，森勇藏
  （1a-YE-2）大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長
  
• 6. 大参宏昌，垣内弘章，安武潔，中濱康治，江畑祐介，芳井熊安，森勇藏
  （29p-E-13）大気圧プラズマCVDによる多結晶Si薄膜の形成（II）
  
• 7. 明田正俊，大参宏昌，垣内弘章，安武潔，芳井熊安，濱岡儀徳
  （31p-YF-8）大気圧プラズマを用いたカーボンナノチューブの形成（Ｉ）
  
  

2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会（徳島大）

• 1. 内藤裕一，安藤敦，小木曽久人，神山聡，奈良安雄，中村邦雄，渡部平司，安武潔
  （10a-ZK-10）走査型容量顕微鏡によるHigh-k膜誘電率の面内分布評価
  
• 2. 川村浩太，三島永嗣，志村考功，渡部平司，安武潔，神山聡，赤坂泰志，奈良安雄，中村邦雄，山田啓作
  （10p-ZK-9）X線反射率測定によるTiN/HfSiON界面の熱安定性評価
  
• 3. 渡辺康匡，吉田慎一，喜多祐起，志村考功，渡部平司，安武潔，赤坂泰志，奈良安雄，中村邦雄，山田啓作
  （10p-ZK-10）メタル電極形成条件がTiN/HfSiON界面反応と電気特性に及ぼす影響
  
• 4. 清水教弘，堀内慎一郎，志村考功，渡部平司，安武潔
  （10p-A-9）酸化濃縮法におけるSiGeの酸化機構
  
• 5. 岡田茂業，中村亮太，大参宏昌，垣内弘章，渡部平司，安武潔
  （8p-ZB-6）大気圧水素プラズマを用いたSiC表面処理
  
• 6. 浜岡儀徳，大参宏昌，垣内弘章，安武潔
  （10a-ZR-2）水素化アモルファスシリコンの表面に蒸着した金属層が水素脱離に及ぼす影響
  
  

2005年度　精密工学会春季大会学術講演会（慶応義塾大学）講演論文集

• 1. 南綱介, 小山晋, 中嶋大貴, 大参宏昌, 渡部平司, 安武潔, 芳井熊安, 森勇藏
  （p.319）大粒径多結晶Si薄膜作製のためのGe微結晶核を利用した基板表面制御
  
• 2. 中嶋大貴, 小山晋, 南綱介, 大参宏昌, 渡部平司, 安武潔, 芳井熊安, 森勇藏
  （p.320）Ge微結晶核付SiO2基板を用いたSi薄膜成長に関する研究
  
• 3. 垣内弘章, 松本光弘, 江畑裕介, 大参宏昌, 桑原康人, 安武潔, 芳井熊安, 森勇藏
  （p.321）大気圧プラズマCVDによるアモルファスSiの超高速成膜
  
  

2005年度　精密工学会秋季大会学術講演会（京都大学）講演論文集

• 1. 田原直剛, 若宮拓也, 大参宏昌, 垣内弘章, 渡部平司, 安武潔, 芳井熊安, 森勇藏
  （pp.797-798）大気圧プラズマCVDによるエピタキシャルSi薄膜の形成に関する研究
  
• 2. 垣内弘章, 大参宏昌, 木上憲吾, 安武潔, 芳井熊安, 森勇藏
  （pp.799-800）大気圧プラズマCVDによるダイヤモンドの高速形成に関する研究
  
• 3. 喜多祐起, 吉田慎一, 渡辺康匡, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作
  （pp.817-818）高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲートの電極との界面反応の評価
  
• 4. 三島永嗣, 川村浩太, 志村考功, 渡部平司, 安武潔, 神山聡, 赤坂泰志, 奈良安雄, 中村邦雄, 山田啓作
  （pp.819-820）熱処理に伴うHfSiOx/SiO2/Si構造の界面酸化反応のX線CTR散乱測定
  
  

ゲートスタック研究会（第10回特別研究会）講演予稿集　（2005）

• 1. 渡辺康匡、志村考功、渡部平司、安武潔、神山聡、有門経敏、白石賢二、梅澤直人、知京豊裕、山田啓作
  （p.327-331）HfSiON膜中の局所絶縁劣化箇所のC-AFM観測　－窒化による信頼性向上メカニズムの検討－
  
• 2. 吉田慎一、渡部平司、安武潔、Ahmet Parhat、知京豊裕、山田啓作
  （p.271-274）コンビナトリアル成膜Pt-Wメタルゲート電極の仕事関数マッピング
  
  

薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会「低温プロセスの再発見」アブストラクト集（2005）

• 1. 安武潔，垣内弘章，大参宏昌，渡部平司
  （p.36）シリコン系薄膜の大気圧プラズマCVDおよびエピタキシャル成長（招待講演）
  
  

• 1. 垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔, 芳井熊安, 森　勇藏
  大気圧プラズマCVDによる超高速成膜技術の開発
  先端放射線化学シンポジウム2005「プラズマやダストが関与する反応過程の基礎と応用」要旨集(2005) pp. 1-2.
  
  
• 2. 垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔, 芳井熊安, 森　勇藏, 中濱康治, 江畑裕介
  大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速形成
  薄膜第131委員会 第226回研究会資料 (2005) pp. 31-35.
  
  3. 渡辺康匡、志村考功、渡部平司、安武潔、神山聡、有門経敏、白石賢二、梅澤直人、知京豊裕、山田啓作
  HfSiON膜中の局所絶縁劣化箇所のC-AFM観測－窒化による信頼性向上メカニズムの検討－
  ゲートスタック研究会 第10回特別研究会 講演予稿集 (2005) p.327-331.
  
  
• 4. 吉田慎一、渡部平司、安武潔、Ahmet Parhat、知京豊裕、山田啓作
  コンビナトリアル成膜Pt-Wメタルゲート電極の仕事関数マッピング
  ゲートスタック研究会 第10回特別研究会 講演予稿集 (2005) p.271-274.
  

• Kiyoshi YASUTAKE, Hiromasa OHMI, Hiroaki KAKIUCHI, Heiji WATANABE, Kumayasu YOSHII and Yuzo MORI
  Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching
  Jpn. J. Appl. Phys. 43 [12A] (2004) L1552-L1554.
  
  
• 大参宏昌，垣内弘章，安武潔，中濱康治，江畑裕介，芳井熊安，森勇藏
  大気圧プラズマCVDプロセスによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子
  精密工学会誌 70 [11] (2004) 1418-1422.
  
  
• K. Arima, H. Kakiuchi, M. Ikeda, K. Endo, M. Morita, and Y. Mori
  Scanning tunneling microscopy/ spectroscopy observation of intrinsic hydrogenated amorphous silicon surface under light irradiation
  Surface Science 572 (2004) 449-458.
  
  
• Takayoshi Shimura, Kazunori Fukuda, Kiyoshi Yasutake, and Masataka Umeno
  Characterization of SOI wafers by synchrotron X-ray topography
  Eur. Phys. J. Appl. Phys. 27 (2004) 439-442.
  
  
• 垣内弘章，大参宏昌，中澤弘一，安武潔，芳井熊安，森勇藏
  大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究（第２報）－成膜パラメータの最適化による膜構造の改善－
  精密工学会誌 70 [8] (2004) 1075-1079.
  
  
• 垣内弘章，中濱康治，大参宏昌，安武潔，芳井熊安，森勇藏
  大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiNx薄膜の構造と成膜パラメータの相関
  精密工学会誌 70 [7] (2004) 956-960.
  
  
• 森勇藏, 垣内弘章, 芳井熊安, 安武潔, 大参宏昌, 江畑裕介, 中村恒夫, 竹内博明, 北條義之, 古川和彦
  大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性
  精密工学会誌 70 [4] (2004) 562-567.
  
  
• K. Arima, H. Kakiuchi, M. Ikeda, K. Endo, M. Morita, and Y. Mori
  Visible Light Irradiation Effects on STM Observations of Hydrogenated Amorphous Silicon Surfaces
  Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 1891-1895.
  
  
• Kazunori Fukuda, Takayoshi Yoshida, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake, and Masataka Umeno
  Synchrotron X-ray Topography of Lattice Undulation of Bonded Silicon-on-Insulator Wafers
  Jpn. J. Appl. Phys. 43 [3] (2004) 1081-1087.
  
  
• 森勇藏, 垣内弘章, 大参宏昌, 芳井熊安, 安武潔, 中濱康治
  大気圧プラズマCVD法によるSiNxの成膜特性
  精密工学会誌 70 [2] (2004) 292-296.
  
  
• 森勇藏, 芳井熊安, 安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 中濱康治, 江畑祐介
  回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性
  精密工学会誌 70 [1] (2004) 144-148.
  
  

SPring-8 User Experimenta Report, No.12 (2003B) 110.

• 1. Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Kiyoshi Yasutake, Shigeru Kiumura, and Masataka Umeno
  Observation of Concentric Circular Patterns of State-of-the-art SOI Wafers by Large Area X-ray Topography
  
  

The 14th international conference on crystal growth.

• 1. Yuzo Mori, Kazuya Yamamura, Katsuyoshi Endo, Kazuto Yamauchi, Kiyoshi Yasutake, Hidekazu Goto, Hiroaki Kakiuchi, Yasuhisa Sano,
  Hidekazu Mimura
  Creation of perfect surfaces
  
  

SPring-8 User Experiment Report, No.13, 2004A

• 1. Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Kiyoshi Yasutake, Shigeru Kimura, and Masataka Umeno
  Quasi Phase-contrast Imaging of the Variation in Lattice Spacing of Very Thin Si Layers
  
  

The Proceedings of the 4th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials

• 1. Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Kazunori Fukuda, Kiyoshi Yasutake, and Masataka Umeno
  Development of Characterization Technique of SOI Wafers by Synchrotron X-ray Topography
  
  

Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting, Nov.12-13, 2004, Nara-Shi Asunara Conference Hall,

• 1. K. Yasutake, H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi, S. Koyama, D. Nakajima and K. Minami
  Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films (pp.19-24)
  
  

2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会（東京工科大）

• 1. 三島永嗣，志村考功，安武潔，梅野正隆
  （30a-ZG-8）貼り合わせSOIウエーハの放射光X線トポグラフにおける同心円状パターンII
  
• 2. 大参宏昌，垣内弘章，安武潔，中濱康治，江畑祐介，芳井熊安，森勇藏
  （28p-ZE-6）大気圧プラズマCVDによる多結晶Si薄膜の形成
  
• 3. 有馬健太, 垣内弘章, 池田学, 遠藤勝義, 森田瑞穂, 森勇藏
  （30a-V-4）光照射下での走査型トンネル顕微鏡／分光法を用いたa-Si:H薄膜の評価
  
  

2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会（東北学院大）

• 1. 三島永嗣，志村考功，安武潔，梅野正隆
  （3p-P11-6）放射光X線トポグラフィによる薄膜SOIウエハの同心円状パターンの解析
  
• 2. 松本光弘，島正樹，岡本真吾，内橋健二，田中誠，木山精一，垣内弘章，安武潔，芳井熊安，遠藤勝義
  （2p-S-5）回転電極を用いた大気圧プラズマCVD法による薄膜シリコン太陽電池の高速形成
  
  

2004年度　精密工学会春季大会学術講演会（東京大学）講演論文集

• 1. 垣内弘章, 中濱康治, 大参宏昌, 安武潔, 芳井熊安, 森勇蔵
  （p.441）大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究
  
  

2004年度　精密工学会秋季大会学術講演会（島根大学）講演論文集

• 1. 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔, 中濱康治, 江畑裕介, 浜岡儀徳, 芳井熊安, 森勇藏
  （p.387）大気圧プラズマCVDによる多結晶Si薄膜の形成
  
• 2. 垣内弘章, 中濱康治, 大参宏昌, 安武潔, 芳井熊安, 森勇藏
  （p.388）大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究
  
  

精密工学会 2004年度関西地方定期学術講演会（関西大学）講演論文集

• 1. 岡田茂業，千代丸誠，吉田慎一，渡部平司，安武潔，遠藤勝義
  （pp.79-80）H2アニールしたｎ型4Ｈ-SiC（0001）表面の観察
  
• 2. 三島永嗣，志村考功，安武潔，梅野正隆
  （pp.81-82）放射光Ｘ線トポグラフィによるSOIウエハの同心円状パターンの解析
  
• 3. 垣内弘章，中濱康治，大参宏昌，安武潔，芳井熊安，森勇藏，江西一宜
  （pp.83-84）大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究─プラズマ中における原料ガスの分解について─
  
• 4. 大参宏昌，垣内弘章，安武潔，中濱康治，江畑祐介，浜岡儀徳，芳井熊安，森勇藏
  （pp.85-86）大気圧プラズマCVD法による多結晶Si薄膜の高速形成（Ⅱ）─成膜速度の決定因子─
  
• 5. 安武潔，垣内弘章，大参宏昌，若宮拓也，山本憲，芳井熊安，森勇藏
  （pp.87-88）大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長に関する研究
  
• 6. 清水教弘，本林久良，志村考功，安武潔
  （pp.89-90）1.55μｍ波長帯フォトディテクター用SGOI薄膜の開発
  
  

薄膜材料デバイス研究会第１回研究会「TFTのすべて」アブストラクト集(2004)

• 1. 小山晋, 中嶋大貴, 南綱介, 大参宏昌, 渡部平司, 安武潔, 森勇藏
  （p.36）大粒径多結晶Si薄膜作製のためのGe微結晶核を利用した基板表面制御
  
  

• 1. 垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔, 芳井熊安, 森勇藏
  大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の超高速形成技術の開発
  大阪大学低温センターだより, No.125 (2004) pp. 16-22.
  
• 2. 安武　潔
  表面・界面物性の基礎
  精密工学会関西支部基礎講座「これからの生産技術」テキスト(2004) pp. 81-88.
  
  

• Y. Mori, H. Kakiuchi, K. Yoshii and K. Yasutake
  High-Rate Deposition of Amorphous Silicon Films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition
  Crystal Growth Technology, ed. H. J. Scheel and T. Fukuda (John Wiley & Sons, 2003), pp. 645-652.
  
  
• Y. Mori, K. Yoshii, K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi and K. Wada
  High-Rate Growth of Epitaxial Silicon at Low Temperatures (530-690℃) by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition
  Thin Solid Films 444 (2003) 138-145.
  
  
• Y. Mori, H. Kakiuchi, K. Yoshii, K. Yasutake, and H. Ohmi
  Characterization of Hydrogenated Amorphous Si1-xCx Films Prepared at Extremely High Rates Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure
  J. Phys. D: Appl. Phys. 36 [23] (2003) 3057-3063.
  
  
• 豊田洋通, 井出敞, 八木秀次, 垣内弘章, 森勇藏
  大気圧以上の高圧力下でのプラズマCVDによるダイヤモンドの高速形成
  精密工学会誌 69 [10] (2003) 1444-1448.
  
  
• 森勇藏，芳井熊安，安武潔，垣内弘章，大参宏昌，和田勝男
  大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長（第1報）―エピタキシャルSi成長条件の検討―
  精密工学会誌 69 [6] (2003) 861-865.
  
  
• K. Fukuda, T. Yoshida, T. Shimura, K. Yasutake and M. Umeno
  Large-Area X-Ray Topographs of Lattice Undulation of Bonded Silicon-On-Insulator Wafers
  Jpn. J. Appl. Phys. 42 [2A] (2003) L117-L119.
  
  

Proc. 3rd World Conf. and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, 12 May 2003, Osaka, Japan.

• 1. M. Matsumoto, M. Shima, S. Okamoto, K. Murata, M. Tanaka, S. Kiyama, H. Kakiuchi, K. Yasutake, K. Yoshii , K. Endo and Y. Mori
  Extremely High-Rate Deposition of Silicon Thin Films Prepared by Atmospheric Plasma CVD Method with a Rotary Electrode (pp. 1552-1555)
  
  

Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 2003.

• 1. Kenta Arima, Hiroaki Kakiuchi, Manabu Ikeda, Katsuyoshi Endo, Mizuho Morita, and Yuzo Mori
  Visible Light Irradiation Effects on Atomic-Scale Observations of Hydrogenated Amorphous Silicon Films by Scanning Tunneling Microscopy
  (pp. 500-501)
  

The 7th international Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Nara, 2003.

• 1. Kenta Arima, Hiroaki Kakiuchi, Manabu Ikeda, Katsuyoshi Endo, Mizuho Morita, and Yuzo Mori
  Scanning tunneling microscopy observations of intrinsic hydrogenated amorphous silicon surface under visible light irradiation (p. 256)
  

SPring-8 User Experiment Report No.10 (2002B) 114

• 1. Takayoshi Shimura, Takayoshi Yoshida, Kazunori Fukuda, Kiyoshi Yasutake, and Masataka Umeno
  Characterization of SOI Wafers by X-ray Topography and Photoluminescence Method
  
  

Photon Factory Activity Report, 20 (2003) 265

• 1. Takayoshi Shimura, Kazunori Fukuda, Takayoshi Yoshida, Kiyoshi Yasutake, and Masataka Umeno
  Observation of lattice undulation of commercial bonded silicon-on-insulator wafers by synchrotron X-ray topography
  
  

The 6th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations, Tsukuba, Nov. 10 (2003).

• 1. K. Inagaki, K. Yasutake, H. Goto, K. Hirose
  First-Principles Molecular-Dynamics Simulations on Extraction of Hydrogen Molecule from Hydrogen Terminated Si(001) 2x1 Surface by Hydrogen
  Radical
  
  

Photon Factory Activity Report, 20 (2003) 84

• 1. Takayoshi Shimura, Kazunori Fukuda, Takuji Hosoi, Kiyoshi Yasutake, and Masataka Umeno
  Comparison of ordered structure in buried oxide layers in high-dose, low-dose, and ITOX SIMOX wafers
  
  

SPring-8 User Experiment Report No.10 (2002B) 125

• 1. Takayoshi Shimura, Eiji Mishima, Kiyoshi Yasutake, Shigeru Kimura, and Masataka Umeno
  Characterization of SOI Wafers by Large Area X-ray Topography
  
  

2003年秋季 第64回応用物理学会学術講演会（福岡大）

• 1. 志村考功，三島永嗣，安武潔，梅野正隆
  （31p-A-5）貼り合せSOIウェーハの放射光X線トポグラフにおける同心円状パターン
  
• 2. 竹内昭博，谷屋周平，大参宏昌，垣内弘章，安武潔，芳井熊安
  （30p-G-13）RF-MBE法によるSi(111)基板上へのAlNおよびAlGaN結晶成長
  
• 3. 神前智憲，本林久良，清水教弘，志村考功，安武潔，梅野正隆
  （31a-H-6）1.55μm波長帯光検出器用のSGOI薄膜の作製
  
  

2003年度 精密工学会春季大会学術講演会（東京農工大学） 講演論文集

• 1. 森勇蔵, 芳井熊安, 安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 和田勝男
  （p.148）大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長（第4報）
  
• 2. 森勇蔵, 芳井熊安, 安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 中濱康治
  （p.149）大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究
  
• 3. 森勇蔵, 芳井熊安, 安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 中濱康治
  （p.564）大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究
  
  

2003年度精密工学会秋季大会学術講演会（富山大学）　講演論文集

• 1. 森勇蔵, 芳井熊安, 安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 中濱康治
  （pp. 459-460）大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究―TDSによる膜構造評価―
  
  

精密工学会 2003年度関西地方定期学術講演会（摂南大学） 講演論文集

• 1. 池田学, 有馬健太, 垣内弘章, 遠藤勝義, 森田瑞穂, 森勇藏
  （pp.49-50）光照射を利用した水素化アモルファスシリコン表面の走査型トンネル顕微鏡観察
  
• 2. 森勇藏，芳井熊安，安武潔，垣内弘章，大参宏昌，西嶋健一，中濱康治
  （pp.73-74）大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速エピタキシャル成長
  
• 3. 森勇藏，芳井熊安，安武潔，垣内弘章，大参宏昌，西嶋健一，中濱康治
  （pp.75-76）大気圧プラズマCVD法による多結晶Si薄膜の高速形成
  
• 4. 森勇藏，芳井熊安，安武潔，垣内弘章，大参宏昌，中濱康治
  （pp.77-78）大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究―原料ガス混合条件が膜構造に及ぼす影響―
  
• 5. 森勇藏，芳井熊安，安武潔，垣内弘章，大参宏昌，明田正俊
  （pp.79-80）大気圧プラズマCVD法によるSiCの高速成膜　―成膜パラメータと膜構造の相関―
  
• 6. 谷屋周平，竹内昭博，大参宏昌，垣内弘章，安武潔，芳井熊安
  （pp.83-84）紫外光半導体レーザー用ＡlＮおよびAlGaN単結晶薄膜の作製
  
• 7. 本林久良，神前智憲，志村考功，安武潔
  （pp.85-86）Si1-ｘGeｘ/Si-MBE成長における歪みと成長形態に関する研究
  
• 8. 中嶋大貴，三島英彦，志村考功，安武潔，大参宏昌，垣内弘章，芳井熊安，森勇藏
  （pp.87-88）アトムリソグラフィによる成膜基板の表面制御に関する研究
  
• 9. 千代丸誠，藤井由紀，安武潔，遠藤勝義，森勇藏
  （pp.89-90）UHVおよびH2アニールSi(111)表面の構造変化に関する研究
  
  

2003年秋 物理学会 （岡山大学）

• 1. 稲垣耕司，安武潔，ネルソンアルボレダ，笠井英明，広瀬喜久治
  （20aPS-46）水素ラジカルによる水素終端化Si(001)2x1表面からの水素引き抜き反応の運動エネルギーを保存した第一原理分子動力学シミュレーション
  
• 2. 安武潔，稲垣耕司，垣内弘章，大参宏昌，芳井熊安，広瀬喜久治
  （20pYD-12）第一原理分子動力学法によるCVDエピタキシャルSi成長初期過程の研究
  
  

• K. Fukuda, T. Yoshida, T. Shimura, K. Yasutake and M. Umeno
  Observation of Lattice Undulation of Commercial Bonded SOI Wafers by Synchrotron X-ray Topography
  Jpn. J. Appl. Phys. 41 [11B] (2002) L1325-L1327.
  
  
• 森勇藏，垣内弘章，芳井熊安，安武潔，松本光弘，江畑裕介
  大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜
  精密工学会誌 68 [8] (2002), 1077-1081.
  
  
• 大参宏昌　安武 潔　松井優貴　竹内昭博　垣内弘章　芳井熊安　森 勇藏
  注入同期法による色素レーザの増幅
  精密工学会誌, 67 [7] (2001) 1108-1113.
  
  
• 森勇藏，芳井熊安，安武潔，垣内弘章，木山精一，樽井久樹，堂本洋一
  大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究（第3報）－高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性－
  精密工学会誌 67 [5] (2001), 829-833.
  
  
• 大参宏昌　安武 潔　清水正男　垣内弘章　竹内昭博　芳井熊安　森 勇藏
  Li原子ビームのレーザコリメーション
  精密工学会誌, 67 [3] (2001) 433-437.
  
  
• Chiyo Inoue, Naoya Mizuno, Satoshi Ogura, Yuichiro Hanayama, Shinji Hattori, Katsuyoshi Endo, Kiyoshi Yasutake, Mizuho Morita, and Yuzo Mori
  Time Variations of Organic Compound Concentrations in a Newly Constructed Cleanroom
  J. Inst. Environmental Science and Technology, 44 [2] (2001) 23-29.
  
  
• M. Shimizu, K. Yasutake, H. Ohmi, A. Takeuchi, H. Kakiuchi, K. Yoshii, Y. Mori
  Lifetime of metastable fluorine atoms
  Appl. Phys. B72 [2] (2001) 227-230.
  
  
• 大参宏昌　安武 潔　清水正男　垣内弘章　竹内昭博　芳井熊安　森 勇藏
  中性原子ビーム速度分光装置の開発
  精密工学会誌, 66 [12] (2000) 1938-1942.
  
  
• 森 勇藏　垣内弘章　芳井熊安　安武 潔
  大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化
  精密工学会誌, 66 [11] (2000) 1802-1806.
  
  
• 森 勇藏 芳井熊安 安武潔 中野元博 垣内弘章 木山精一 樽井久樹 堂本洋一
  大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究（第2報）　―成膜速度の高速化―
  精密工学会誌, 66 [10] (2000) 1636-1640.
  
  
• Y. Mori, K. Yoshii, H. Kakiuchi, and K. Yasutake
  Atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition system for high-rate deposition of functional materials
  Rev. Sci. Instrum. 71 [8] (2000) 3173-3177.
  
  
• Y.Mori, K.Yoshii, K.Yasutake, and H.Kakiuchi
  High-Rate Deposition of Amorphous Silicon Films by Atmospheric Pressure Plasma CVD
  Technology Reports of the Osaka University, 50 [2373] (2000) 55-62.
  
  
• 井上智代　水野直哉　小倉 哲　花山勇一郎　服部進司　遠藤勝義　安武 潔　　森田瑞穂　森 勇藏
  新設クリーンルーム内における有機物濃度の経時変化とその発生源
  クリーンテクノロジー, 10 [7] (2000) 47-51.
  
  
• K. Yasutake, H. Ohmi, M. Shimizu, A. Takeuchi, H. Kakiuchi, K. Yoshii, Y. Mori
  Velocity spectrometer for a neutral atomic beam
  Appl. Phys. B71 [6] (2000) 787-793.
  
  
• 森 勇藏　垣内弘章　芳井熊安　安武 潔
  大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究（第1報） ―成膜速度および膜構造の検討―
  精密工学会誌, 66 [6] (2000) 907-911.
  
  
• 清水正男　文 承啓　辻井ます美　安武 潔　芳井熊安
  半導体素子保護用ポリイミド表面のプラズマ処理
  精密工学会誌, 66 [5] (2000) 725-730.
  
  
• 森 勇藏　芳井熊安　安武 潔　垣内弘章　木山精一　樽井久樹　堂本洋一
  大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究（第1報） ―回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作―
  精密工学会誌, 65 [11] (1999) 1600-1604.
  
  
• H. Ohmi, K. Yasutake, M. Shimizu, T. Yasukawa, A. Takeuchi, H. Kakiuchi, K. Yoshii, M. Umeno, and Y. Mori
  Creation of Mono-Velocity Neutral Atomic Beam
  Precision Science and Technology for Perfect Surface, JSPE Publication Series No. 3, (1999) 630-635.
  
  
• Takeuchi, M. Ono, K. Yasutake, H. Kakiuchi, and K. Yoshii
  Doping of Single Crystalline AlN Thin Films Grown on Si(111) by Plasma-Assisted MBE
  Precision Science and Technology for Perfect Surface, JSPE Publication Series No. 3, (1999) 624-629.
  
  
• Y. Mori, K. Yoshii, K. Yasutake, H. Kakiuchi, Y. Domoto, H. Tarui, and S. Kiyama
  High-Rate Deposition of Amorphous Si Thin Films by Atmospheric Pressure Plasma CVD
  Precision Science and Technology for Perfect Surface, JSPE Publication Series No. 3, (1999) 537-542.
  
  
• M. Shimizu, H. Ohmi, K. Yasutake, K. Yamane, R. Tanaka, A. Takeuchi, H. Kakiuchi, K. Yoshii, and Y. Mori
  Development of Anisotropic Dry Etching Method Using Laser-Collimated Fluorine Radical Beam
  Precision Science and Technology for Perfect Surface, JSPE Publication Series No. 3, (1999) 450-455.
  
  
• 清水正男　文 承啓　西川 明　加藤直子　安武 潔　芳井熊安
  半導体素子特性に対するコンタクトホール内部の残留有機物薄膜の影響
  精密工学会誌, 65 [4] (1999) 592-597.
  
  
• K. Yasutake, A. Takeuchi, H. Kakiuchi, and K. Yoshii
  Molecular beam epitaxial growth of AlN single crystalline films on Si(111) using radio-frequency plasma assisted nitrogen radical source
  J. Vac. Sci. Technol. A16 [4] (1998) 2140-2147.
  
  
• Y. Suzaki, T. Shikama, S. Yoshioka, K. Yoshii, K. Yasutake
  Concentration and thermal release of hydrogen in amorphous silicon carbide films by rf sputtering
  Thin Solid Films 311 (1997) 207-211.
  
  
• K. YASUTAKE, H. KAKIUCHI, A. TAKEUCHI, K. YOSHII, H. YAMADA, H. KAWABE
  Thermal and photo-induced surface damage in paratellurite
  J. Mater. Sci. 32 (1997) 6595-6600.
  
  
• K. YASUTAKE, H. KAKIUCHI, A. TAKEUCHI, K. YOSHII, H. KAWABE
  Deep-level characterization in semi-insulating GaAs by photo-induced current and Hall effect transient spectroscopy
  J. Mater. Sci.: Materials in Electronics 8 (1997) 239-245.
  
  
• Kiyoshi YASUTAKE, Akihiro TAKEUCHI, Hiroaki KAKIUCHI, Yoshimasa OKUYAMA, Kumayasu YOSHII and Hideaki KAWABE
  Low Temperature Growth of InGaAs/GaAs Strained-Layer Single Quantum Wells
  Int. J. Japan Soc. Prec. Eng. 31 [1] (1997) 47-52.
  
  
• 安武 潔　垣内弘章　竹内昭博　芳井熊安　川辺秀昭
  光電流および光ホール電圧過渡分光法による半絶縁性GaAs単結晶中の欠陥準位評価
  精密工学会誌, 63 [2] (1997) 264-268.
  
  
• 垣内弘章　芳井熊安　安武 潔　竹内昭博　広瀬喜久治　森 勇藏
  高周波スパッタ蒸着法による多結晶Ｓｉの低温成膜に関する研究（第2報） －Si薄膜の構造および電気・光学特性－
  精密工学会誌, 63 [2] (1997) 233-237.
  
  
• 安武 潔　竹内昭博　垣内弘章　奥山佳正　芳井熊安　川辺秀昭
  InGaAs/GaAs 単一歪み量子井戸薄膜の低温成長に関する研究
  精密工学会誌, 63 [1] (1997) 60-64.
  
  
• 安武 潔　垣内弘章　竹内昭博　芳井熊安　山田裕一　川辺秀昭
  TeO2単結晶表面の熱損傷および光照射損傷に関する研究
  精密工学会誌, 62 [8] (1996) 1335-1339.
  
  
• 広瀬喜久治 後藤英和 森 勇藏 芳井熊安 安武潔 垣内弘章 坂本正雄 堤 建一
  Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
  精密工学会誌, 61 [12] (1995) 1755-1759.
  
  
• 垣内弘章　川辺秀昭　芳井熊安　安武 潔　竹内昭博　広瀬喜久治　森 勇藏
  高周波スパッタ蒸着法による多結晶Ｓｉの低温成膜に関する研究（第１報）
  精密工学会誌, 61 [6] (1995) 829-833.
  
  
• K. Yasutake, Z. Chen, S. K. Pang, and A. Rohatgi
  Modeling and characterization of interface state parameters and surface recombination velocity at plasma enhanced chemical vapor deposited SiO2-Si interface
  J. Appl. Phys. 75 [4] (1994) 2048-2054.
  
  
• 須崎嘉文, 鹿間共一, 垣内弘章, 芳井熊安, 川辺秀昭
  スパッタ法により作製したa-Si(:H)/a-SiC(:H)超格子薄膜の量子井戸効果
  精密工学会誌 60 (1994) 393-396.
  
  
• 須崎嘉文, 中村茂昭, 垣内弘章, 芳井熊安, 川辺秀昭
  スパッタ法により作製したa-Si/a-SiC超格子薄膜の構造
  精密工学会誌 60 (1994) 138-142.
  
  
• Z. Chen, S. K. Pang, K. Yasutake, and A. Rohatgi
  Plasma-enhanced chemical-vapor-deposited oxide for low surface recombination velocity and high effective lifetime in silicon
  J. Appl. Phys. 74 [4] (1993) 2856-2859.
  
  
• Z. Chen, K. Yasutake, A. Doolittle and A. Rohatgi
  Record low SiO2/Si interface state density for low temperature oxides prepared by direct plasma-enhanced chemical vapor deposition
  Appl. Phys. Lett. 63 [15] (1993) 2117-2119.
  
  
• Y. Mori, K. Yamamura, K. Yamauchi, K. Yoshii, T. Kataoka, K. Endo, K. Inagaki, and H. Kakiuchi
  Plasma CVM (chemical vaporization machining) – An Ultra Precision Machining with High Pressure Reactive Plasma –
  Technology Reports of the Osaka University, 43 [2156] (1993) 261-266.
  
  
• Y. Mori, K. Yamamura, K. Yamauchi, K. Yoshii, T. Kataoka, K. Endo, K. Inagaki, and H. Kakiuchi
  Plasma CVM (chemical vaporization machining): an ultra precision machining technique using high- pressure reactive plasma
  Nanotechnology 4 (1993) 225-229.
  
  
• Y. Suzaki, T. Shikama, H. Kakiuchi, A. Takeuchi, K. Yoshii, and H. Kawabe
  Structure and quantum size effect of a-Si(:H)/a-SiC(:H) multilayer films
  J. Magnetism and Magnetic Materials 126 (1993) 22-24.
  
  
• K. YASUTAKE, K. SUGIURA, H. INOUE, A. TAKEUCHI, M. UEMURA, K. YOSHII and H. KAWABE
  Dislocations and Ultrasonic Attenuation in Paratellurite
  phys. stat. sol. (a)125 (1991) 489-502.
  
  
• K.Yoshii, Y.Suzaki, A.Takeuchi, K.Yasutake and H.Kawabe
  CRYSTALLIZATION BEHAVIOR OF AMORPHOUS Si1-xCx FILMS PREPARED BY R.F. SPUTTERING
  Thin Solid Films 199 (1991) 85-94.
  
  
• Kiyoshi YASUTAKE, Yoshiharu TANAKA, Akihiro TAKEUCHI, Kumayasu YOSHII and Hideaki KAWABE
  MINORITY CARRIER DIFFUSION LENGTH AND DEFECT LEVELS IN PLASTICALLY DEFORMED SILICON CRYSTALS
  Defect Control in Semiconductors, II (1990) p.1437-1442.
  
  
• Kiyoshi YASUTAKE, Yoshito KONISHI, Kaoru ADACHI, Kumayasu YOSHII, Masataka UMENO and Hideaki KAWABE
  Fracture of GaAs Wafers
  Jpn. J. Appl. Phys. 27 [12] (1988) 2238-2246.
  
  
• Kiyoshi Yasutake, Shinji Shimizu, and Hideaki Kawabe
  Analysis of the effective stresses acting on twinning partial dislocations in silicon
  J. Appl. Phys. 61 [3] (1987) 947-955.
  
  
• Kiyoshi Yasutake, Shinji Shimizu, Masataka Umeno, and Hideaki Kawabe
  Velocity of twinning partial dislocations in silicon
  J. Appl. Phys. 61 [3] (1987) 940-946.
  
  
• K. YASUTAKE, M. IWATA, K. YOSHII, M. UMENO, H. KAWABE
  Crack healing and fracture strength of silicon crystals
  J. Mater. Sci. 21 (1986) 2185-2192.
  
  
• K. YASUTAKE, J. D. STEPHENSON, M. UMENO and H. KAWABE
  On deformation twins in silicon single crystals
  Phil. Mag. A53 [3] (1986) L41-47.
  
  
• K. YASUTAKE, M. UMENO, and H. KAWABE
  Oxygen Precipitation and Microdefects in Czochralski-Grown Silicon Crystals
  phys. stat. sol. (a)83 (1984) 207-217.
  
  
• K. Yasutake, M. Umeno and H. Kawabe
  DEFORMATION TWINNING OF SILICON SINGLE CRYSTALS BELOW 600℃
  Acta Crystallogr. A40 (1984) C-334.
  
  
• Kiyoshi YASUTAKE, Masataka UMENO, Hideaki KAWABE, Hiroshi NAKAYAMA, Taneo NISHINO and Yoshihiro HAMAKAWA
  Measurement of Residual Stress in Bent Silicon Wafers by Means of Photoluminescence
  Jpn. J. Appl. Phys. 21 [12] (1982) 1715-1719.
  
  
• Kiyoshi YASUTAKE, Junichi MURAKAMI, Masataka UMENO and Hideaki KAWABE
  Mechanical Properties of Heat-Treated CZ-Si Wafers from Brittle to Ductile Temperature Range
  Jpn. J. Appl. Phys. 21 [5] (1982) L288-290.
  
  
• K. YASUTAKE, M. UMENO, and H. KAWABE
  Compression Tests of Heat-Treated Czochralski-Grown Silicon Crystals
  phys. stat. sol. (a)69 (1982) 333-341.
  
  
• Kiyoshi YASUTAKE, Masataka UMENO, Hideaki KAWABE, Hiroshi NAKAYAMA, Taneo NISHINO and Yoshihiro HAMAKAWA
  Oxygen-Related Donors Stable at 700-800℃ in CZ-Si Crystals
  Jpn. J. Appl. Phys. 21 [1] (1982) 28-32.
  
  
• Kiyoshi YASUTAKE, Masataka UMENO, Hideaki KAWABE, Hiroshi NAKAYAMA, Taneo NISHINO and Yoshihiro HAMAKAWA
  Oxygen-Related Donors Generated at 800℃ in CZ-Si
  Jpn. J. Appl. Phys. 19 [9] (1980) L544-546.
  
  
• K. Yasutake, M. Umeno, and H. Kawabe
  Mechanical Properties of Heat-Treated Czochralski-Grown Silicon Crystals
  Appl. Phys. Lett. 37 [9] (1980) 789-791.
  
  
• H. Kawabe, M. Umeno, T. Yamazaki and K. Yasutake
  Dislocation Movements in Si Single Crystals in the Brittle Temperature Range
  Bull. Japan Soc. Prec. Eng. 12 [4] (1978) 211-212.
  
  

Tech. Digest of the 4th Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO/Pacific Rim 2001, Makuhari Messe, 2001, Vol. II, pp. 124-125.

• 1. H. Ohmi, K. Yasutake, Y. Matsui, A. Takeuchi, H. Kakiuchi, K. Yoshii, and Y. Mori
  Dual mode amplification of dye laser by injection-seeding method
  
  

Proc. of the COE Int. Symp. on Ultraprecision Science and Technology - Creation of Perfect Surface - , Osaka, 2001.

• 1. H. Ohmi, K. Yasutake, M. Shimizu, H. Kakiuchi, A. Takeuchi, K. Yoshii, and Y. Mori
  Formation of Monochromatic Atomic Beam for Nanofabrication (PP.251-256)
• 2. H. Toyota, T. Ide, H. Yagi, H. Kakiuchi and Y. Mori
  High rate synthesis of diamond by plasma CVD under higher pressure than atmospheric pressure (pp.227-232)
  
• 3. M. Nakano, K. Yasutake, H. Kakiuchi, Y. Yamauchi, K. Yoshii, T. Kataoka, and Y. Mori
  Numerical Simulation of Reactive Gas Flow in Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition (AP-PCVD) Process (pp.221-226)
  
• 4. Y. Mori, K. Yoshii, K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, and K. Wada
  Epitaxial Growth of Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD －Effects of Temperature and Plasma Power on Crystallinity of the Si films －
  (pp.216-220.)
  
• 5. Y. Mori, K. Yoshii, K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, and K. Wada
  Epitaxial Growth of Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD -Growth Rate and Crystallinity- (pp.211-215)
  
• 6. Y. Mori, K. Yoshii, K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, and K. Wada
  High-Rate Growth of Epitaxial Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD (pp.205-210)
  
• 7. Y. Mori, H. Kakiuchi, K. Yoshii, and K. Yasutake
  Hydrogenated Amorphous Si1-xCx Films Fabricated at Extremely High Deposition Rate by Atmospheric Pressure Plasma CVD (pp.199-204)
  
• 8. Y. Mori, H. Kakiuchi, K. Yoshii, K. Yasutake, M. Matsumoto, and Y. Ebata
  High-Rate Deposition of Device-Grade Amorphous Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD (pp.187-192)
  
  

Proc. of the 3rd Int. Symp. on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, Kona, 2000.

• 1. K. Fukuda, T. Hosoi, T. Shimura, K. Yasutake, and M. Umeno
  Investigation of SOI Wafers by X-Ray Diffraction Techniques (pp.636-641)
  
  

2nd Int. School on Crystal Growth Technology, Book of Lecture Notes (2000) .

• 1. Y. Mori, K. Yamauchi, K. Yamamura, H. Kakiuchi and Y. Sano
  Development of New Machining Process for Ultra Precision Surface Preparation ---EEM, Plasma CVM, and Atmospheric Pressure Plasma CVD---
  (pp. 212-232)
  

Proceedings of 1996 The Japan-China Bilateral Symposium on Advanced Manufacturing Engineering, Hayama, 1996.

• 1. Y. Mori, K. Yoshii, T. Kataoka, K. Hirose, K. Yasutake, K. Endo, Y. Domoto, H. Tarui, S. Kiyama and H. Kakiuchi
  Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon Films with High Growth Rate (pp.84-89)
  
• 2. K. Yasutake, A. Takeuchi, H. Kakiuchi, T. Hagiwara and K. Yoshii
  MBE Growth of AlN Single Crystalline Films on Si(111) Using RF-excited Nitrogen Source (pp.79-83)
  
  

Extended Abstruct of Workshop on Computational Methods as Applied to Industrial Problems, Tsukuba, 1995.

• 1. K. Yasutake, K. Hirose, H. Goto, Y. Mori, K. Yoshii, H. Kakiuchi, M. Sakamoto and K. Tsutsumi
  First-principles Molecular-dynamics Simulations of Ammonia Adsorption on Si(001) Surface (p.19)
  
  

Technical Digest of the 7th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Nagoya (1993) .

• 1. K. Yasutake, H. Kakiuchi, K. Yoshii, H. Kawabe, Z. Chen, S. K. Pang and A. Rohatgi
  Surface Recombination Velocities and Interface State Parameters at Si-SiO2 Prepared by Low Temperature Plasma Processes (pp.549-550)
  

Technical Digest of the Sixth Sunshine Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells, Tokyo, 1993.

• 1. K. Yasutake, H. Kakiuchi, K. Yoshii, H. Kawabe, Z. Chen, S. K. Pang and A. Rohatgi
  Interface Parameters and Surface Recombination Velocity at PECVD SiO2/Si Interface (pp.113-116)
  
  

Proceedings of the 7th International Precision Engineering Seminar, Kobe, 1993.

• 1. H. Kawabe, Y. Mori, K. Yoshii, T. Kataoka, K. Yasutake, K. Endo, K. Yamauchi, K. Yamamura and H. Kakiuchi
  Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Films by Plasma Chemical Vapor Deposition under Higher Pressure than Atmospheric Pressure
  (pp.554-565)
  
• 2. Y. Mori, K. Yamamura, K. Yamauchi, K.Yoshii, T.Kataoka, K.Endo, K. Inagaki and H. Kakiuchi
  Plasma CVM (chemical vaporization machining)-- A Chemical Machining Method With Equal Performances to Conventional
  Mechanical Methods from the Sense of Removal Rates and Spatial Resolutions – (pp.78-87)
  
  

Technical Digest of the 5th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Kyoto.

• 1. K. Yasutake, A. Takeuchi, K. Yoshii, H. Kawabe, J. Masuda and K. Kaneko
  Electrical Activity of Grain Boundaries in Polycrystalline Silicon (pp.307-310)
  

Technical Digest of the Second "SUNSHINE WORKSHOP on SOLAR CELLS, Shizuoka, 1990.

• 1. K. Yasutake
  Electrical Activity of Grain Boundaries in Polycrystalline Silicon (KEYNOTE ADDRESS) (pp.53-56)
  
  

Technical Digest of the 3rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Tokyo.

• 1. K. Kaneko, T. Misawa, M. Asai, K. Nishida, A. Suzuki, R. Shimokawa, K. Yasutake and H. Kawabe
  High Efficiency Polycrystalline Silicon Solar Cells by 60 kg Cast Ingots (pp.810)
  
• 2. K. Yasutake, A. Takeuchi, Y. Tanaka, K. Yoshii and H. Kawabe
  Characterization of Cast Polycrystalline Silicon Using Temperature-Dependent Electron Beam Induced Current Method (pp.409-412)
  
  

Proceedings of International Symposium on "Behavior of Lattice Imperfections in Materials - In Situ Experiments with HVEM", Osaka, 1985.

• 1. S. INOUE, K. YOSHII, K. YASUTAKE and H. KAWABE
  Crystallization Behavior of a-SiC Films Prepared by Sputtering (pp.153-156)
  
• K. YOSHII, S. INOUE, K. YASUTAKE and H. KAWABE
  Microstructure and Mechanical Property of Ni-Cu Multiple Layer Films (pp.49-52)
  
• K. YASUTAKE, S. SHIMIZU, K. YOSHII and H. KAWABE
  Movements of Twinning Partial Dislocations in Silicon Single Crystals (pp.45-48)
  
  

Extended Abstruct of the 16th (1984 International) Conference on Solid State Devices and Materials, Kobe, 1984.

• 1. Y. FUJIWARA, A. KOJIMA, T. NISHINO, Y. HAMAKAWA, K. YASUTAKE, M. UMENO and H. KAWABE
  Characterization of Residual Stress in Semi-Insulating GaAs:Cr by Photoluminescence Method (pp.177-180)
  
  

• 1. 森 勇藏　広瀬喜久治　安武 潔　後藤英和
  超精密加工専門委員会レビュー　－水の化学的機能を利用した新しい生産プロセス－
  精密工学会誌, 68 [8] (2002) 1001-1003.
  
  
• 2. 安武 潔
  材料の表面・界面物性の基礎
  機械の研究, 54 [5] (2002) 521-532.
  
  
• 3. 垣内弘章
  大気圧プラズマCVD法の開発
  生産と技術, 54 [1] (2002) 46-48.
  
  
• 4. 安武 潔　清水正男　大参宏昌　芳井 熊安　森 勇藏
  フッ素ラジカルビームのレーザーコリメーションと半導体ドライエッチングへの応用
  大阪大学先導的研究セミナー2001講演要旨集 (2001) pp.9 –10 .
  
  
• 5. 安武 潔
  中性原子ビームの速度分光
  生産と技術, 53 [4] (2001) 5-10.
  
  
• 5. 森 勇藏 芳井熊安 安武 潔 山内和人 山村和也 垣内弘章 佐野泰久 大参宏昌
  完全表面の創成
  大阪大学先導的研究オープンセンター平成12年度年報 (2000) pp.64 –67.
  
  
• 6. 森 勇藏　安武 潔　山村和也　垣内弘章
  大気圧プラズマによる超精密加工と高速成膜
  精密工学会誌, 66 [4] (2000) 517-522.
  
  
• 7. 森 勇藏　芳井熊安　安武 潔　山内和人 山村和也　垣内弘章　佐野泰久
  完全表面の創成
  大阪大学先導的研究オープンセンター平成11年度年報 (1999) pp.57 –62.
  
  
• 8. 森 勇藏　芳井熊安　森田瑞穂　安武 潔　島田尚一　桑原祐司　打越純一
  完全表面の創成
  大阪大学先導的研究オープンセンター平成10年度年報 (1998) pp.32 - 33.
  
  
• 9. 森 勇藏　安武 潔　遠藤勝義　山内和人
  次世代を担う原子・電子レベルの先端技術 －超精密加工専門委員会の目指すところ－
  精密工学会誌, 62 [6] (1996) 766-772.
  
  
• 10. 安武 潔　川邊秀昭
  太陽電池用多結晶シリコン　―格子欠陥の制御による高効率化―
  生産と技術, 43 [1] (1991) 43-45.
  
  
• 11. 安武潔、竹内昭博、鳥居肖史、田中義治、芳井熊安、川辺秀昭
  多結晶シリコンの粒界構造と粒界再結合
  日本学術振興会第145委員会第42回研究会資料 (1988) pp.27-32.